Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

  • منزل، بيت
  •  
  • مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)
LC4512V-35TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-35TN176C

جزء الأسهم: 754

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4384V-75FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-75FTN256I

جزء الأسهم: 1462

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
ISPLSI 1048E-90LQ
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1048E-90LQ

جزء الأسهم: 1676

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-65YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-65YNC

جزء الأسهم: 1046

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A5-256/128-10YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-256/128-10YNC

جزء الأسهم: 1668

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-65FANC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-65FANC

جزء الأسهم: 1419

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A5-256/128-10YNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-256/128-10YNI

جزء الأسهم: 924

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A5-192/96-6VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-192/96-6VC

جزء الأسهم: 5703

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
LC4512V-75TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-75TN176C

جزء الأسهم: 1343

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
ISPLSI 5256VE-125LB272
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 5256VE-125LB272

جزء الأسهم: 5684

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 256, عدد البوابات: 12000,

قائمة الرغبات
LC4384V-5TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-5TN176C

جزء الأسهم: 1509

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M5-512/256-7SAC
Lattice Semiconductor Corporation

M5-512/256-7SAC

جزء الأسهم: 5703

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-10FANC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-10FANC

جزء الأسهم: 1554

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
GAL16V8Z-15QJ
Lattice Semiconductor Corporation

GAL16V8Z-15QJ

جزء الأسهم: 5695

نوع قابل للبرمجة: EE PLD, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 8,

قائمة الرغبات
LC4384V-35FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-35FTN256C

جزء الأسهم: 1056

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M5LV-128/120-10YC
Lattice Semiconductor Corporation

M5LV-128/120-10YC

جزء الأسهم: 5731

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4512V-35FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-35FTN256C

جزء الأسهم: 732

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4128V-75T128C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-75T128C

جزء الأسهم: 2626

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4256V-5FTN256BI
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5FTN256BI

جزء الأسهم: 1879

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
ISPLSI 1016E-80LTN44I
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1016E-80LTN44I

جزء الأسهم: 5621

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 64, عدد البوابات: 2000,

قائمة الرغبات
LC4384V-35TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-35TN176C

جزء الأسهم: 1060

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A5-192/96-6VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-192/96-6VNC

جزء الأسهم: 1171

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-10FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-10FANI

جزء الأسهم: 1046

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4384V-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-5FTN256I

جزء الأسهم: 991

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
LC4384V-75TN176I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-75TN176I

جزء الأسهم: 1520

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
LC4512V-10FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-10FTN256I

جزء الأسهم: 1250

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4512V-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-5FTN256C

جزء الأسهم: 998

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
ISPLSI 1048E-90LT
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1048E-90LT

جزء الأسهم: 1532

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
LC4512V-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-5FTN256I

جزء الأسهم: 728

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-10JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-10JC

جزء الأسهم: 5786

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
M4A5-192/96-10VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-192/96-10VNI

جزء الأسهم: 1478

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
LC4512V-75TN176I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-75TN176I

جزء الأسهم: 1040

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-55YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-55YNC

جزء الأسهم: 1667

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-12FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-12FANI

جزء الأسهم: 1500

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-10YNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-10YNI

جزء الأسهم: 1206

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-55FANC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-55FANC

جزء الأسهم: 1716

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات