Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

  • منزل، بيت
  •  
  • مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)
LC4384V-10TN176I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-10TN176I

جزء الأسهم: 1867

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-10FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-10FAI

جزء الأسهم: 7846

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
ISPLSI 1048E-50LTN
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1048E-50LTN

جزء الأسهم: 2214

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
LC4256V-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-3TN100C

جزء الأسهم: 1852

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-3FTN256AC
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-3FTN256AC

جزء الأسهم: 1898

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LA4128V-75TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LA4128V-75TN100E

جزء الأسهم: 3913

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4128V-5TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-5TN100I

جزء الأسهم: 3396

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-10FANC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-10FANC

جزء الأسهم: 2748

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/192-10FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/192-10FANI

جزء الأسهم: 2141

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
ISPLSI 1048E-50LQ
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 1048E-50LQ

جزء الأسهم: 2412

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
LAMXO1200E-3FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation

LAMXO1200E-3FTN256E

جزء الأسهم: 3926

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.1ns, توريد الجهد - داخلي: 1.14V ~ 1.26V, عدد الخلايا الكبيرة: 600,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-55VC48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-55VC48

جزء الأسهم: 1855

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A5-128/64-7VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-7VNI

جزء الأسهم: 1827

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-12FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-12FAI

جزء الأسهم: 7853

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4256V-5TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5TN100I

جزء الأسهم: 2118

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-55VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-55VNC

جزء الأسهم: 3837

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-10VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-10VI

جزء الأسهم: 7571

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-10VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-10VI

جزء الأسهم: 1792

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LC5512MC-75Q208C
Lattice Semiconductor Corporation

LC5512MC-75Q208C

جزء الأسهم: 7481

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4256V-75FTN256BI
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75FTN256BI

جزء الأسهم: 2415

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-64/64-10VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/64-10VI

جزء الأسهم: 1854

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-7VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-7VNI

جزء الأسهم: 2426

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-10YI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-10YI

جزء الأسهم: 7562

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-10VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-10VC

جزء الأسهم: 7701

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2128VE-250LT176
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2128VE-250LT176

جزء الأسهم: 7464

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,

قائمة الرغبات
M4A3-256/192-7FAC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/192-7FAC

جزء الأسهم: 7717

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-55YC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-55YC

جزء الأسهم: 1798

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN176C

جزء الأسهم: 3568

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-75TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-75TN100I

جزء الأسهم: 3827

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-10TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-10TN144I

جزء الأسهم: 3655

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5TN144I

جزء الأسهم: 2082

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-45MN132C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-45MN132C

جزء الأسهم: 3092

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LAMXO2280E-3TN144E
Lattice Semiconductor Corporation

LAMXO2280E-3TN144E

جزء الأسهم: 2851

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.1ns, توريد الجهد - داخلي: 1.14V ~ 1.26V, عدد الخلايا الكبيرة: 1140,

قائمة الرغبات
LC4128V-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-5TN144C

جزء الأسهم: 3986

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-7VI48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-7VI48

جزء الأسهم: 7793

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4384V-75TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384V-75TN176C

جزء الأسهم: 1883

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات