Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

MBR6080
GeneSiC Semiconductor

MBR6080

جزء الأسهم: 5452

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S70BR
GeneSiC Semiconductor

S70BR

جزء الأسهم: 9658

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12060R

جزء الأسهم: 2830

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR70BR05
GeneSiC Semiconductor

FR70BR05

جزء الأسهم: 9644

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
GKN130/16
GeneSiC Semiconductor

GKN130/16

جزء الأسهم: 3733

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR6BR02
GeneSiC Semiconductor

FR6BR02

جزء الأسهم: 13846

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR6J05
GeneSiC Semiconductor

FR6J05

جزء الأسهم: 12962

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S85M
GeneSiC Semiconductor

S85M

جزء الأسهم: 9631

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 85A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S320QR
GeneSiC Semiconductor

S320QR

جزء الأسهم: 2016

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S6B
GeneSiC Semiconductor

S6B

جزء الأسهم: 13488

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR3545R
GeneSiC Semiconductor

MBR3545R

جزء الأسهم: 5662

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR6G02
GeneSiC Semiconductor

FR6G02

جزء الأسهم: 13616

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR70KR05
GeneSiC Semiconductor

FR70KR05

جزء الأسهم: 9595

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MUR2560R
GeneSiC Semiconductor

MUR2560R

جزء الأسهم: 9573

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 90ns,

قائمة الرغبات
FR12D05
GeneSiC Semiconductor

FR12D05

جزء الأسهم: 14991

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S6GR
GeneSiC Semiconductor

S6GR

جزء الأسهم: 15201

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S300BR
GeneSiC Semiconductor

S300BR

جزء الأسهم: 2025

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR6030R
GeneSiC Semiconductor

MBR6030R

جزء الأسهم: 5417

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR40D02
GeneSiC Semiconductor

FR40D02

جزء الأسهم: 9603

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
GKR71/04
GeneSiC Semiconductor

GKR71/04

جزء الأسهم: 9611

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 95A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12BR02
GeneSiC Semiconductor

FR12BR02

جزء الأسهم: 14043

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S400Q
GeneSiC Semiconductor

S400Q

جزء الأسهم: 1955

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR6A05
GeneSiC Semiconductor

FR6A05

جزء الأسهم: 13962

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR12G05
GeneSiC Semiconductor

FR12G05

جزء الأسهم: 12894

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S40V
GeneSiC Semiconductor

S40V

جزء الأسهم: 11010

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S25GR
GeneSiC Semiconductor

S25GR

جزء الأسهم: 19324

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURH7010R
GeneSiC Semiconductor

MURH7010R

جزء الأسهم: 59

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
FR30JR02
GeneSiC Semiconductor

FR30JR02

جزء الأسهم: 9663

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S400QR
GeneSiC Semiconductor

S400QR

جزء الأسهم: 2027

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GKN240/16
GeneSiC Semiconductor

GKN240/16

جزء الأسهم: 2303

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH120150
GeneSiC Semiconductor

MBRH120150

جزء الأسهم: 2696

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR16J02
GeneSiC Semiconductor

FR16J02

جزء الأسهم: 14610

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
FR40GR05
GeneSiC Semiconductor

FR40GR05

جزء الأسهم: 9630

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MBRH12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12020R

جزء الأسهم: 2847

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH24040
GeneSiC Semiconductor

MBRH24040

جزء الأسهم: 40

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH20035R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20035R

جزء الأسهم: 2553

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات