Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

FR20G02
GeneSiC Semiconductor

FR20G02

جزء الأسهم: 9608

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor

MBR6040R

جزء الأسهم: 5431

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S12Q
GeneSiC Semiconductor

S12Q

جزء الأسهم: 12884

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR3540R
GeneSiC Semiconductor

MBR3540R

جزء الأسهم: 5687

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020R

جزء الأسهم: 2608

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH12045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12045R

جزء الأسهم: 2845

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR8060
GeneSiC Semiconductor

MBR8060

جزء الأسهم: 5403

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH240200R
GeneSiC Semiconductor

MBRH240200R

جزء الأسهم: 32

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR7520
GeneSiC Semiconductor

MBR7520

جزء الأسهم: 5420

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR7545R
GeneSiC Semiconductor

MBR7545R

جزء الأسهم: 5427

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor

MBR7530R

جزء الأسهم: 5376

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRH120150R

جزء الأسهم: 2740

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S70J
GeneSiC Semiconductor

S70J

جزء الأسهم: 9616

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GKR71/08
GeneSiC Semiconductor

GKR71/08

جزء الأسهم: 9662

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 95A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR5005
GeneSiC Semiconductor

MUR5005

جزء الأسهم: 7605

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
FR12B02
GeneSiC Semiconductor

FR12B02

جزء الأسهم: 15891

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S25DR
GeneSiC Semiconductor

S25DR

جزء الأسهم: 19271

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12GR05
GeneSiC Semiconductor

FR12GR05

جزء الأسهم: 12931

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR16D02
GeneSiC Semiconductor

FR16D02

جزء الأسهم: 14942

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR30AR02
GeneSiC Semiconductor

FR30AR02

جزء الأسهم: 9632

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
MBR35100R
GeneSiC Semiconductor

MBR35100R

جزء الأسهم: 5747

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH20020
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020

جزء الأسهم: 2616

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR70J02
GeneSiC Semiconductor

FR70J02

جزء الأسهم: 9664

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor

MBRH20040

جزء الأسهم: 2588

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S12BR
GeneSiC Semiconductor

S12BR

جزء الأسهم: 33090

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S300GR
GeneSiC Semiconductor

S300GR

جزء الأسهم: 1959

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR40BR05
GeneSiC Semiconductor

FR40BR05

جزء الأسهم: 12084

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR70BR02
GeneSiC Semiconductor

FR70BR02

جزء الأسهم: 9630

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
MBR7580
GeneSiC Semiconductor

MBR7580

جزء الأسهم: 5436

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR40J02
GeneSiC Semiconductor

FR40J02

جزء الأسهم: 9655

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
FR70JR05
GeneSiC Semiconductor

FR70JR05

جزء الأسهم: 9665

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S400YR
GeneSiC Semiconductor

S400YR

جزء الأسهم: 1977

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH24060R
GeneSiC Semiconductor

MBRH24060R

جزء الأسهم: 73

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR6JR02
GeneSiC Semiconductor

FR6JR02

جزء الأسهم: 12965

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
FR70B02
GeneSiC Semiconductor

FR70B02

جزء الأسهم: 9666

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
MBR3560
GeneSiC Semiconductor

MBR3560

جزء الأسهم: 5740

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات