Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

MUR2510
GeneSiC Semiconductor

MUR2510

جزء الأسهم: 8664

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
MBR3540
GeneSiC Semiconductor

MBR3540

جزء الأسهم: 5725

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURH7040
GeneSiC Semiconductor

MURH7040

جزء الأسهم: 118

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 90ns,

قائمة الرغبات
S40D
GeneSiC Semiconductor

S40D

جزء الأسهم: 14998

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH12040
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040

جزء الأسهم: 2863

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12J05
GeneSiC Semiconductor

FR12J05

جزء الأسهم: 14360

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S25J
GeneSiC Semiconductor

S25J

جزء الأسهم: 12968

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S70M
GeneSiC Semiconductor

S70M

جزء الأسهم: 9657

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12JR02
GeneSiC Semiconductor

FR12JR02

جزء الأسهم: 13573

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
MBR8080
GeneSiC Semiconductor

MBR8080

جزء الأسهم: 5414

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12BR05
GeneSiC Semiconductor

FR12BR05

جزء الأسهم: 14032

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MUR7060R
GeneSiC Semiconductor

MUR7060R

جزء الأسهم: 7578

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
MBR8040R
GeneSiC Semiconductor

MBR8040R

جزء الأسهم: 5401

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR5060R
GeneSiC Semiconductor

MUR5060R

جزء الأسهم: 7591

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 90ns,

قائمة الرغبات
S70Q
GeneSiC Semiconductor

S70Q

جزء الأسهم: 9618

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR75100R
GeneSiC Semiconductor

MBR75100R

جزء الأسهم: 5372

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S40GR
GeneSiC Semiconductor

S40GR

جزء الأسهم: 14723

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S40YR
GeneSiC Semiconductor

S40YR

جزء الأسهم: 9598

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRH20030
GeneSiC Semiconductor

MBRH20030

جزء الأسهم: 2598

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S85GR
GeneSiC Semiconductor

S85GR

جزء الأسهم: 9665

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 85A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR6020
GeneSiC Semiconductor

MBR6020

جزء الأسهم: 5451

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S40JR
GeneSiC Semiconductor

S40JR

جزء الأسهم: 10690

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR5040R
GeneSiC Semiconductor

MUR5040R

جزء الأسهم: 7623

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
FR30BR02
GeneSiC Semiconductor

FR30BR02

جزء الأسهم: 9656

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR16BR02
GeneSiC Semiconductor

FR16BR02

جزء الأسهم: 12924

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S70Y
GeneSiC Semiconductor

S70Y

جزء الأسهم: 9582

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S70B
GeneSiC Semiconductor

S70B

جزء الأسهم: 10319

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR6KR05
GeneSiC Semiconductor

FR6KR05

جزء الأسهم: 12931

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S40QR
GeneSiC Semiconductor

S40QR

جزء الأسهم: 11207

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR85B05
GeneSiC Semiconductor

FR85B05

جزء الأسهم: 7806

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 85A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S25BR
GeneSiC Semiconductor

S25BR

جزء الأسهم: 19726

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR6080R
GeneSiC Semiconductor

MBR6080R

جزء الأسهم: 5449

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR7540
GeneSiC Semiconductor

MBR7540

جزء الأسهم: 5454

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR30K05
GeneSiC Semiconductor

FR30K05

جزء الأسهم: 9642

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S16K
GeneSiC Semiconductor

S16K

جزء الأسهم: 14675

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR30D02
GeneSiC Semiconductor

FR30D02

جزء الأسهم: 9616

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات