Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

MUR2520
GeneSiC Semiconductor

MUR2520

جزء الأسهم: 9625

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
GKR240/12
GeneSiC Semiconductor

GKR240/12

جزء الأسهم: 2388

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR20K05
GeneSiC Semiconductor

FR20K05

جزء الأسهم: 9607

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MURH10010R
GeneSiC Semiconductor

MURH10010R

جزء الأسهم: 3694

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
FR6G05
GeneSiC Semiconductor

FR6G05

جزء الأسهم: 13535

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR70D02
GeneSiC Semiconductor

FR70D02

جزء الأسهم: 9583

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR40GR02
GeneSiC Semiconductor

FR40GR02

جزء الأسهم: 8715

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S16MR
GeneSiC Semiconductor

S16MR

جزء الأسهم: 12925

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S300JR
GeneSiC Semiconductor

S300JR

جزء الأسهم: 1992

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S40Y
GeneSiC Semiconductor

S40Y

جزء الأسهم: 9658

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR16DR05
GeneSiC Semiconductor

FR16DR05

جزء الأسهم: 15107

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S25K
GeneSiC Semiconductor

S25K

جزء الأسهم: 13922

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR20M05
GeneSiC Semiconductor

FR20M05

جزء الأسهم: 9639

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S12G
GeneSiC Semiconductor

S12G

جزء الأسهم: 21791

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR12G02
GeneSiC Semiconductor

FR12G02

جزء الأسهم: 12890

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR16DR02
GeneSiC Semiconductor

FR16DR02

جزء الأسهم: 15135

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR20D02
GeneSiC Semiconductor

FR20D02

جزء الأسهم: 9581

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR6D02
GeneSiC Semiconductor

FR6D02

جزء الأسهم: 12964

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
S6Q
GeneSiC Semiconductor

S6Q

جزء الأسهم: 12871

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S12KR
GeneSiC Semiconductor

S12KR

جزء الأسهم: 15947

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S16DR
GeneSiC Semiconductor

S16DR

جزء الأسهم: 19825

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR85BR05
GeneSiC Semiconductor

FR85BR05

جزء الأسهم: 7819

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 85A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR16GR02
GeneSiC Semiconductor

FR16GR02

جزء الأسهم: 13447

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
SD51R
GeneSiC Semiconductor

SD51R

جزء الأسهم: 5611

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURH10005R
GeneSiC Semiconductor

MURH10005R

جزء الأسهم: 3636

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
FR6D05
GeneSiC Semiconductor

FR6D05

جزء الأسهم: 12969

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
S150KR
GeneSiC Semiconductor

S150KR

جزء الأسهم: 2491

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SD51
GeneSiC Semiconductor

SD51

جزء الأسهم: 5645

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FR16D05
GeneSiC Semiconductor

FR16D05

جزء الأسهم: 14955

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MURH7040R
GeneSiC Semiconductor

MURH7040R

جزء الأسهم: 75

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 90ns,

قائمة الرغبات
FR6AR02
GeneSiC Semiconductor

FR6AR02

جزء الأسهم: 15938

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
FR6DR05
GeneSiC Semiconductor

FR6DR05

جزء الأسهم: 13763

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
FR6MR05
GeneSiC Semiconductor

FR6MR05

جزء الأسهم: 12941

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
MBR75100
GeneSiC Semiconductor

MBR75100

جزء الأسهم: 5397

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S25D
GeneSiC Semiconductor

S25D

جزء الأسهم: 12931

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S12DR
GeneSiC Semiconductor

S12DR

جزء الأسهم: 16035

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات