الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 21

MBRH200100R

جزء الأسهم: 2515

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRH200150

جزء الأسهم: 2450

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKR130/12

جزء الأسهم: 3049

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKN71/14

جزء الأسهم: 12932

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 95A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S150M

جزء الأسهم: 2508

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR16KR05

جزء الأسهم: 12913

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR16MR05

جزء الأسهم: 12877

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURH10060

جزء الأسهم: 3613

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 110ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S6K

جزء الأسهم: 15122

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR6JR05

جزء الأسهم: 12903

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR3580R

جزء الأسهم: 5654

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRH240100R

جزء الأسهم: 85

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKR130/08

جزء الأسهم: 3057

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKR71/16

جزء الأسهم: 9641

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 95A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR6DR02

جزء الأسهم: 13694

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S70JR

جزء الأسهم: 9627

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR40DR05

جزء الأسهم: 9986

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR3520R

جزء الأسهم: 5703

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030R

جزء الأسهم: 2602

نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S12J

جزء الأسهم: 14955

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR3535

جزء الأسهم: 5726

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKR130/18

جزء الأسهم: 3078

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKN130/18

جزء الأسهم: 3741

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR70DR05

جزء الأسهم: 9635

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRH24020R

جزء الأسهم: 125

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR6AR05

جزء الأسهم: 15920

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKR240/04

جزء الأسهم: 2385

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S6D

جزء الأسهم: 23917

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S16Q

جزء الأسهم: 12884

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S16JR

جزء الأسهم: 12966

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 16A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FR70D05

جزء الأسهم: 9641

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 70A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

GKN240/18

جزء الأسهم: 2375

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 165A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S70KR

جزء الأسهم: 9584

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S300DR

جزء الأسهم: 1972

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

S320K

جزء الأسهم: 2022

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR2540R

جزء الأسهم: 9606

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات