Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBRF40035
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035

جزء الأسهم: 1272

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8330SM
GeneSiC Semiconductor

FST8330SM

جزء الأسهم: 4061

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8380M
GeneSiC Semiconductor

FST8380M

جزء الأسهم: 6666

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10020R
GeneSiC Semiconductor

MURF10020R

جزء الأسهم: 1328

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10060
GeneSiC Semiconductor

MURF10060

جزء الأسهم: 1344

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20060R
GeneSiC Semiconductor

MURF20060R

جزء الأسهم: 1221

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8340M
GeneSiC Semiconductor

FST8340M

جزء الأسهم: 6765

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor

MURF20040R

جزء الأسهم: 1238

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8340SM
GeneSiC Semiconductor

FST8340SM

جزء الأسهم: 4100

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20005R
GeneSiC Semiconductor

MURF20005R

جزء الأسهم: 1265

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8330M
GeneSiC Semiconductor

FST8330M

جزء الأسهم: 6675

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST83100SM
GeneSiC Semiconductor

FST83100SM

جزء الأسهم: 4093

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20020R
GeneSiC Semiconductor

MURF20020R

جزء الأسهم: 1218

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10010
GeneSiC Semiconductor

MURF10010

جزء الأسهم: 1316

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20060
GeneSiC Semiconductor

MURF20060

جزء الأسهم: 1224

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8320M
GeneSiC Semiconductor

FST8320M

جزء الأسهم: 6735

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8335M
GeneSiC Semiconductor

FST8335M

جزء الأسهم: 6678

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF40035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035R

جزء الأسهم: 1270

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor

MURF10040R

جزء الأسهم: 1374

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20010
GeneSiC Semiconductor

MURF20010

جزء الأسهم: 1205

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10005
GeneSiC Semiconductor

MURF10005

جزء الأسهم: 4079

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20010R
GeneSiC Semiconductor

MURF20010R

جزء الأسهم: 1208

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8360M
GeneSiC Semiconductor

FST8360M

جزء الأسهم: 6756

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10040
GeneSiC Semiconductor

MURF10040

جزء الأسهم: 1369

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20020
GeneSiC Semiconductor

MURF20020

جزء الأسهم: 1241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8380SM
GeneSiC Semiconductor

FST8380SM

جزء الأسهم: 4049

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8345SM
GeneSiC Semiconductor

FST8345SM

جزء الأسهم: 4049

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20040
GeneSiC Semiconductor

MURF20040

جزء الأسهم: 1258

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT500100
GeneSiC Semiconductor

MBRT500100

جزء الأسهم: 1089

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10020
GeneSiC Semiconductor

MURF10020

جزء الأسهم: 1407

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات