Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040RL

جزء الأسهم: 4259

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF40040
GeneSiC Semiconductor

MURF40040

جزء الأسهم: 4322

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020

جزء الأسهم: 4217

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080

جزء الأسهم: 4271

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200

جزء الأسهم: 4517

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020

جزء الأسهم: 4512

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA800200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200R

جزء الأسهم: 4309

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60060
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060

جزء الأسهم: 4290

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF40060R
GeneSiC Semiconductor

MURF40060R

جزء الأسهم: 4260

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035RL

جزء الأسهم: 4315

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT40035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035RL

جزء الأسهم: 5467

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035L

جزء الأسهم: 4257

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF400200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF400200R

جزء الأسهم: 4204

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30020R
GeneSiC Semiconductor

MURF30020R

جزء الأسهم: 4240

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA800100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100

جزء الأسهم: 4261

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30060R
GeneSiC Semiconductor

MURF30060R

جزء الأسهم: 4301

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080R

جزء الأسهم: 4271

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50020R

جزء الأسهم: 4247

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030

جزء الأسهم: 4236

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF40010
GeneSiC Semiconductor

MURF40010

جزء الأسهم: 4266

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045RL

جزء الأسهم: 4244

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80040
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040

جزء الأسهم: 4266

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035L

جزء الأسهم: 4307

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF20030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030R

جزء الأسهم: 4208

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST6360M
GeneSiC Semiconductor

FST6360M

جزء الأسهم: 4243

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60020
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020

جزء الأسهم: 4460

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080

جزء الأسهم: 4203

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020R

جزء الأسهم: 4240

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT40030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030L

جزء الأسهم: 4265

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040L

جزء الأسهم: 4249

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

جزء الأسهم: 4183

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040RL

جزء الأسهم: 4251

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTL

جزء الأسهم: 4245

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045RL

جزء الأسهم: 4298

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST16030L
GeneSiC Semiconductor

FST16030L

جزء الأسهم: 4245

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTRL

جزء الأسهم: 4178

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات