Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MSRT25060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

جزء الأسهم: 1332

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA500120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

جزء الأسهم: 811

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT15080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

جزء الأسهم: 1880

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT150120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

جزء الأسهم: 1845

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT150140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

جزء الأسهم: 1876

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA400160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

جزء الأسهم: 1213

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA500140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

جزء الأسهم: 729

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

جزء الأسهم: 1374

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

جزء الأسهم: 665

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT150160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

جزء الأسهم: 1872

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

جزء الأسهم: 1478

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA400120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

جزء الأسهم: 1232

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA500160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

جزء الأسهم: 811

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA400140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

جزء الأسهم: 1275

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT200140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

جزء الأسهم: 1492

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

جزء الأسهم: 1344

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

جزء الأسهم: 1195

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT250160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

جزء الأسهم: 1410

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT200160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

جزء الأسهم: 1484

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA30080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

جزء الأسهم: 1311

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA500100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

جزء الأسهم: 789

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR2X100A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

جزء الأسهم: 2965

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT20060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

جزء الأسهم: 1570

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT15060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

جزء الأسهم: 1934

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT150100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

جزء الأسهم: 1879

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA400100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

جزء الأسهم: 1207

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR2X030A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

جزء الأسهم: 3697

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRTA50060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

جزء الأسهم: 795

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSRT250140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

جزء الأسهم: 1411

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

جزء الأسهم: 1445

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

جزء الأسهم: 2631

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 180V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

جزء الأسهم: 1154

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURT40040R
GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

جزء الأسهم: 980

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

جزء الأسهم: 1065

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR12045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

جزء الأسهم: 1320

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR2X060A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

جزء الأسهم: 3248

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات