الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 25

MBR20040CTR

جزء الأسهم: 1522

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

جزء الأسهم: 943

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

جزء الأسهم: 1136

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

جزء الأسهم: 809

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

جزء الأسهم: 3665

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

جزء الأسهم: 1190

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

جزء الأسهم: 945

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

جزء الأسهم: 3068

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 180V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

جزء الأسهم: 3870

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

جزء الأسهم: 1240

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

جزء الأسهم: 3284

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

جزء الأسهم: 4139

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

جزء الأسهم: 3894

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

جزء الأسهم: 1838

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

جزء الأسهم: 1368

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

جزء الأسهم: 1244

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

جزء الأسهم: 1544

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FST16060

جزء الأسهم: 1480

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 160A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 160A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

جزء الأسهم: 1000

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

جزء الأسهم: 1086

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

جزء الأسهم: 1907

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

جزء الأسهم: 1554

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

جزء الأسهم: 956

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

جزء الأسهم: 1504

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

جزء الأسهم: 1881

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

جزء الأسهم: 1366

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

جزء الأسهم: 1238

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

جزء الأسهم: 1182

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

جزء الأسهم: 1172

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

FST10045

جزء الأسهم: 1532

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

جزء الأسهم: 1119

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

جزء الأسهم: 1203

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

جزء الأسهم: 2901

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.35V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

جزء الأسهم: 958

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

جزء الأسهم: 1562

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

جزء الأسهم: 1442

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات