Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTRL

جزء الأسهم: 4183

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50080R

جزء الأسهم: 4227

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30045CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTRL

جزء الأسهم: 4179

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA600100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600100

جزء الأسهم: 4223

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030

جزء الأسهم: 4206

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50030R

جزء الأسهم: 4285

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60060R

جزء الأسهم: 4248

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF20080
GeneSiC Semiconductor

MBRF20080

جزء الأسهم: 4200

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30045L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045L

جزء الأسهم: 4200

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30030RL

جزء الأسهم: 4201

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA50080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50080

جزء الأسهم: 4280

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF600100R
GeneSiC Semiconductor

MBRF600100R

جزء الأسهم: 4237

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040RL

جزء الأسهم: 4266

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30030CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTL

جزء الأسهم: 4187

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035L

جزء الأسهم: 4218

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR40020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTL

جزء الأسهم: 4235

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF400150
GeneSiC Semiconductor

MBRF400150

جزء الأسهم: 4237

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA800150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150

جزء الأسهم: 4313

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT30030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT30030L

جزء الأسهم: 4193

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTRL

جزء الأسهم: 4179

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRF500100R

جزء الأسهم: 4282

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST6330M
GeneSiC Semiconductor

FST6330M

جزء الأسهم: 4251

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30005
GeneSiC Semiconductor

MURF30005

جزء الأسهم: 4252

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRF300150R

جزء الأسهم: 4233

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60045CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTL

جزء الأسهم: 4181

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA50030R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50030R

جزء الأسهم: 4458

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30040R
GeneSiC Semiconductor

MURF30040R

جزء الأسهم: 4475

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030RL

جزء الأسهم: 4291

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60080R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080R

جزء الأسهم: 4241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50045
GeneSiC Semiconductor

MBRF50045

جزء الأسهم: 4255

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60045
GeneSiC Semiconductor

MBRF60045

جزء الأسهم: 4456

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60035
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035

جزء الأسهم: 4503

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTL

جزء الأسهم: 4179

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60020RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60020RL

جزء الأسهم: 4193

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12020R

جزء الأسهم: 4198

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTRL

جزء الأسهم: 4211

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات