Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBRT40045L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045L

جزء الأسهم: 4252

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80045
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045

جزء الأسهم: 4269

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTL

جزء الأسهم: 4173

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30045R

جزء الأسهم: 4249

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF40020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40020R

جزء الأسهم: 4210

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA600150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600150

جزء الأسهم: 4305

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF12020
GeneSiC Semiconductor

MBRF12020

جزء الأسهم: 4275

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA40030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40030RL

جزء الأسهم: 4228

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30045
GeneSiC Semiconductor

MBRF30045

جزء الأسهم: 4286

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA50080R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50080R

جزء الأسهم: 4240

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF40080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40080R

جزء الأسهم: 4237

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF120200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF120200R

جزء الأسهم: 4281

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF500150
GeneSiC Semiconductor

MBRF500150

جزء الأسهم: 4241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60020R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020R

جزء الأسهم: 4306

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50040R

جزء الأسهم: 4243

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST16020L
GeneSiC Semiconductor

FST16020L

جزء الأسهم: 4185

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60030L

جزء الأسهم: 4216

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRF120150R

جزء الأسهم: 4279

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30040
GeneSiC Semiconductor

MBRF30040

جزء الأسهم: 4266

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF40030
GeneSiC Semiconductor

MBRF40030

جزء الأسهم: 4202

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST7320M
GeneSiC Semiconductor

FST7320M

جزء الأسهم: 4194

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30035
GeneSiC Semiconductor

MBRF30035

جزء الأسهم: 4284

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30040
GeneSiC Semiconductor

MURF30040

جزء الأسهم: 4311

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50030
GeneSiC Semiconductor

MBRF50030

جزء الأسهم: 4239

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTL

جزء الأسهم: 4178

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTRL

جزء الأسهم: 4261

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST7345M
GeneSiC Semiconductor

FST7345M

جزء الأسهم: 4269

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50060
GeneSiC Semiconductor

MBRF50060

جزء الأسهم: 4499

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30060
GeneSiC Semiconductor

MBRF30060

جزء الأسهم: 4220

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040L

جزء الأسهم: 4253

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20045R

جزء الأسهم: 4280

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF120100
GeneSiC Semiconductor

MBRF120100

جزء الأسهم: 4216

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60035L

جزء الأسهم: 4228

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF120150
GeneSiC Semiconductor

MBRF120150

جزء الأسهم: 4204

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF30005R
GeneSiC Semiconductor

MURF30005R

جزء الأسهم: 4241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80030L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030L

جزء الأسهم: 4287

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات