Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBRTA40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40020L

جزء الأسهم: 4245

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF12060R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12060R

جزء الأسهم: 4275

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT40040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040L

جزء الأسهم: 4258

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045RL

جزء الأسهم: 4303

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80020L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020L

جزء الأسهم: 4233

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50045R

جزء الأسهم: 4203

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200R

جزء الأسهم: 4205

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60030R

جزء الأسهم: 4236

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60080R

جزء الأسهم: 4250

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF40060
GeneSiC Semiconductor

MURF40060

جزء الأسهم: 4306

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080

جزء الأسهم: 4293

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80030R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030R

جزء الأسهم: 4272

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF12080
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080

جزء الأسهم: 4189

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045RL

جزء الأسهم: 4278

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60040R

جزء الأسهم: 4283

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF50035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50035R

جزء الأسهم: 4245

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR60035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTL

جزء الأسهم: 4205

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor

MBRF200150

جزء الأسهم: 4237

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTRL

جزء الأسهم: 4163

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA80035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035L

جزء الأسهم: 4230

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 400A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30040R

جزء الأسهم: 4291

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF600100
GeneSiC Semiconductor

MBRF600100

جزء الأسهم: 4253

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST6380M
GeneSiC Semiconductor

FST6380M

جزء الأسهم: 4208

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor

MBRF200200

جزء الأسهم: 4239

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF40005
GeneSiC Semiconductor

MURF40005

جزء الأسهم: 4307

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST6315M
GeneSiC Semiconductor

FST6315M

جزء الأسهم: 4423

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT40045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045RL

جزء الأسهم: 4185

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRTA60030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030

جزء الأسهم: 4230

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST7330M
GeneSiC Semiconductor

FST7330M

جزء الأسهم: 4220

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor

UFT7360M

جزء الأسهم: 4241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRT60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT60045RL

جزء الأسهم: 4186

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST83100M
GeneSiC Semiconductor

FST83100M

جزء الأسهم: 6711

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor

MURF10060R

جزء الأسهم: 1343

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FST8335SM
GeneSiC Semiconductor

FST8335SM

جزء الأسهم: 4418

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF10010R
GeneSiC Semiconductor

MURF10010R

جزء الأسهم: 1342

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURF20005
GeneSiC Semiconductor

MURF20005

جزء الأسهم: 1290

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات