RFID مرسلات ، العلامات

MAX66020K-000AA+

MAX66020K-000AA+

جزء الأسهم: 660

أسلوب: Key Fob, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: ISO 14443,

MAX66040E-000AA+

MAX66040E-000AA+

جزء الأسهم: 787

أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: ISO 14443,

RI-I03-0003-00

RI-I03-0003-00

جزء الأسهم: 714

تكرر: 13.56MHz,

RI-TRP-WEHP-01

RI-TRP-WEHP-01

جزء الأسهم: 740

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User),

RI-I16-114A-S1

RI-I16-114A-S1

جزء الأسهم: 746

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-I16-112A-03

RI-I16-112A-03

جزء الأسهم: 691

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-TRP-B9WK-30

RI-TRP-B9WK-30

جزء الأسهم: 751

RI-TRP-DR2B-40

RI-TRP-DR2B-40

جزء الأسهم: 10639

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.36kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

TRPGR30ATGA

TRPGR30ATGA

جزء الأسهم: 25058

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

RI-I11-0003-00

RI-I11-0003-00

جزء الأسهم: 729

تكرر: 13.56MHz,

RI-INL-W007-30

RI-INL-W007-30

جزء الأسهم: 760

نوع الذاكرة: Read/Write,

TRPGR30ENATGB

TRPGR30ENATGB

جزء الأسهم: 19583

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

RI-I16-114A-01

RI-I16-114A-01

جزء الأسهم: 67

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-I11-114B-01

RI-I11-114B-01

جزء الأسهم: 728

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RX-HDT-KMAB-C1

RX-HDT-KMAB-C1

جزء الأسهم: 713

أسلوب: Key Fob, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: ISO 15693,

RI-TRP-W9TD-13

RI-TRP-W9TD-13

جزء الأسهم: 708

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

PCT200-H

PCT200-H

جزء الأسهم: 117

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

PCT200-TL

PCT200-TL

جزء الأسهم: 93

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

PCT100-TLH

PCT100-TLH

جزء الأسهم: 118

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

V600-D23P54

V600-D23P54

جزء الأسهم: 850

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 254kB (User),

V680-D8KF67M

V680-D8KF67M

جزء الأسهم: 759

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8.2kB (User),

WF-SM-IN02

WF-SM-IN02

جزء الأسهم: 5283

V680S-D2KF68

V680S-D2KF68

جزء الأسهم: 977

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

V680-D8KF68

V680-D8KF68

جزء الأسهم: 718

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8.2kB (User),

V680-D1KP66T-SP

V680-D1KP66T-SP

جزء الأسهم: 442

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User),

V680S-D2KF67

V680S-D2KF67

جزء الأسهم: 1749

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

V680-D1KP66T

V680-D1KP66T

جزء الأسهم: 2453

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User),

WRL-14151

WRL-14151

جزء الأسهم: 48869

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User), المعايير: EPC,

SEN-10127

SEN-10127

جزء الأسهم: 24916

أسلوب: Coin, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User),

TK5552A-PP

TK5552A-PP

جزء الأسهم: 686

تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,

HTMS8001FTB/AF,115

HTMS8001FTB/AF,115

جزء الأسهم: 115701

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

PCF7939PA/CABC1200

PCF7939PA/CABC1200

جزء الأسهم: 682

HTMS1101FTK/AF,115

HTMS1101FTK/AF,115

جزء الأسهم: 716

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

FIT0314

FIT0314

جزء الأسهم: 37596

أسلوب: Coin, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: ISO 14443,

LXMS21NCNH-147

LXMS21NCNH-147

جزء الأسهم: 199430

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 865MHz ~ 920MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User),