أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 472b (User), المعايير: ISO 14443A,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 920MHz ~ 925MHz, المعايير: EPC,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User), المعايير: ISO 18000-6, EPC,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (User), المعايير: EPC, ISO 18000-6,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,
