أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: EPC, ISO 18000-6,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 96b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Key Fob, تكرر: 125kHz,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User),
أسلوب: Key Fob, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User),
أسلوب: Coin, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read Only,
تقنية: Passive, تكرر: 125kHz,
أسلوب: Key Fob, تقنية: Active, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read Only,
أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Active, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read Only,
أسلوب: Coin, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz,
أسلوب: Card, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Coin, تكرر: 125kHz,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (EPC), المعايير: EPC,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 512b (EPC), المعايير: EPC,