RFID مرسلات ، العلامات

RI-TRP-R9QL-30

جزء الأسهم: 690

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

RI-TRP-WR2B-30

جزء الأسهم: 696

أسلوب: Glass Encapsulated, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: ISO 11785,

RI-I02-114A-01

جزء الأسهم: 670

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-TRP-R9QL-20

جزء الأسهم: 733

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

TRPGP40TGA

جزء الأسهم: 680

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11785,

RI-I02-112A-03

جزء الأسهم: 711

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-I03-110A-01

جزء الأسهم: 706

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User),

RI-TRP-WEHP-30

جزء الأسهم: 677

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User),

RI-INL-W9QM-30

جزء الأسهم: 17701

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

RI-I15-112B-02

جزء الأسهم: 700

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

RI-I02-0003-00

جزء الأسهم: 724

تكرر: 13.56MHz,

TRPGR30TGC

جزء الأسهم: 760

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

RI-TRP-REHP-01

جزء الأسهم: 680

أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

SPS1M002

جزء الأسهم: 711

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6C, EPC,

SPS1M001A-06

جزء الأسهم: 4394

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,

SPS1M001A-07

جزء الأسهم: 4303

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,

SPS1M001A-03

جزء الأسهم: 4390

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,

MIKROE-2256

جزء الأسهم: 207

أسلوب: Key Fob, تكرر: 13.56MHz, المعايير: ISO 14443A,

MIKROE-1475

جزء الأسهم: 35905

أسلوب: Key Fob, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: ISO 14443,

MIKROE-2255

جزء الأسهم: 90

أسلوب: Key Fob, تكرر: 13.56MHz, المعايير: ISO 14443A,

MN63Y3213N1

جزء الأسهم: 3744

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

MN63Y3212N5

جزء الأسهم: 2737

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

V750-D22M01-IM-R5K

جزء الأسهم: 37071

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 96b (EPC), المعايير: EPC,

V680S-D2KF68M

جزء الأسهم: 819

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

V600-D8KR04

جزء الأسهم: 249

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User),

HTMS1201FUG/AM,005

جزء الأسهم: 750

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,

PCF7939MA/CABC0800

جزء الأسهم: 23500

HTMS8101FTB/AF,115

جزء الأسهم: 112592

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

PCF7939MA/C0BC0800

جزء الأسهم: 689

PCF7937EA/CAAB2601

جزء الأسهم: 158

تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,

LRI2K-SBN18/2GE

جزء الأسهم: 175657

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

TK5551M-PP

جزء الأسهم: 713

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 224b (User),

PCT200-L

جزء الأسهم: 72

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

PCT100-T

جزء الأسهم: 88

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

PCT200-TLH

جزء الأسهم: 125

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,

FIT0313

جزء الأسهم: 44386

أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: NFC,