أسلوب: Key Fob, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 88b (User),
أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693,
أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Glass Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 80b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Key Fob,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read Only, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
تكرر: 134.2kHz,
تقنية: Passive, تكرر: 134.2kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128kb (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Key Fob, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,
أسلوب: Card, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 254kB (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8.2kB (User),
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), 32b (User), المعايير: ISO 18000-6C, EPC,
أسلوب: Inlay, تقنية: Active, تكرر: 13.56MHz, المعايير: ISO 15693,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 860MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, المعايير: EPC, ISO 18000-6C,
أسلوب: Coin, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read Only,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 902MHz ~ 928MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (EPC), المعايير: ISO 18000-6, EPC,
