Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

V12P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/H

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.08V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH9HM3_A/H

جزء الأسهم: 129

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15PM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM12-M3/I

جزء الأسهم: 84

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512HM3/I

جزء الأسهم: 95

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSSAF3M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10HM3/I

جزء الأسهم: 108

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/87A

جزء الأسهم: 141034

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS3P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/I

جزء الأسهم: 121692

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FN6-M3/I

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6B

جزء الأسهم: 111845

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.47µs,

قائمة الرغبات
V12P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6HM3_A/H

جزء الأسهم: 176

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10-M3/H

جزء الأسهم: 150

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF56HM3_A/I

جزء الأسهم: 100

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-150KR40A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-150KR40A

جزء الأسهم: 2138

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 471A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS8PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/I

جزء الأسهم: 127

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V12P15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/I

جزء الأسهم: 162

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.08V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10P5-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P5-M3/86A

جزء الأسهم: 188897

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 7A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V10P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12HM3_A/I

جزء الأسهم: 142833

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V12P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P12HM3_A/I

جزء الأسهم: 108148

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS5P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P3HM3_A/H

جزء الأسهم: 160783

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS5P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P3HM3_A/I

جزء الأسهم: 115346

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15P45S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45S-M3/87A

جزء الأسهم: 183455

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V10PL45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PL45-M3/87A

جزء الأسهم: 149126

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS12P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3L-M3/86A

جزء الأسهم: 169267

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V12P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P12-M3/86A

جزء الأسهم: 173213

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10P5HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P5HM3_A/I

جزء الأسهم: 133480

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 670mV @ 7A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS5P6HM3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P6HM3J_A/H

جزء الأسهم: 115708

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 690mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8PM10SHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10SHM3/I

جزء الأسهم: 174966

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V12PM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10-M3/I

جزء الأسهم: 147

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4PBHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/I

جزء الأسهم: 144585

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
V8PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM12HM3_A/I

جزء الأسهم: 135616

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS5P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P6HM3_A/H

جزء الأسهم: 136670

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 690mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V10PM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10-M3/I

جزء الأسهم: 154

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15P12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/I

جزء الأسهم: 142

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P15HM3/H

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.08V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6ESH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/87A

جزء الأسهم: 155180

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 940mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 22ns,

قائمة الرغبات
V10PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/I

جزء الأسهم: 100052

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات