Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6A

جزء الأسهم: 165175

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 930mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 18ns,

قائمة الرغبات
SB1H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB1H90-E3/73

جزء الأسهم: 176647

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 770mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PD-M3/85A

جزء الأسهم: 115870

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
SS24-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-E3/5BT

جزء الأسهم: 181211

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-M3/57T

جزء الأسهم: 159623

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-E3/54

جزء الأسهم: 177524

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ015HM3/5BT

جزء الأسهم: 189348

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 330mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M15-M3/H

جزء الأسهم: 151

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/52T

جزء الأسهم: 156675

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EGU06-M3/5BT

جزء الأسهم: 178519

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
VS-MBRS190-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS190-M3/5BT

جزء الأسهم: 185272

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6A

جزء الأسهم: 178329

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 930mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 18ns,

قائمة الرغبات
SL42-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL42-E3/57T

جزء الأسهم: 165298

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 420mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM12-M3/I

جزء الأسهم: 136

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6A

جزء الأسهم: 190753

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.47µs,

قائمة الرغبات
GPP10J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/73

جزء الأسهم: 115689

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ040HM3/5BT

جزء الأسهم: 133136

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG1A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-E3/54

جزء الأسهم: 164168

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
SS2PH10-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH10-M3/85A

جزء الأسهم: 169958

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS2PH5HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5HM3/85A

جزء الأسهم: 102737

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CS3K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3K-E3/I

جزء الأسهم: 156130

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.8µs,

قائمة الرغبات
GPP10J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/54

جزء الأسهم: 102282

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PM-M3/85A

جزء الأسهم: 147401

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
S2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2KHE3_A/I

جزء الأسهم: 171812

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA10-M3/I

جزء الأسهم: 110

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2K-M3/52T

جزء الأسهم: 117990

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-M3/4W

جزء الأسهم: 106130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6HM3/H

جزء الأسهم: 77

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-M3/9AT

جزء الأسهم: 181258

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAD-M3/I

جزء الأسهم: 166924

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.16V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.3µs,

قائمة الرغبات
V8PA15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA15-M3/I

جزء الأسهم: 123

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12-M3/I

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 870mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RS3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/9AT

جزء الأسهم: 179050

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3B-M3/9AT

جزء الأسهم: 143312

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
S1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PG-M3/85A

جزء الأسهم: 167861

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
V10P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/87A

جزء الأسهم: 156354

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات