الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

S2DHE3_A/I

جزء الأسهم: 174024

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2G-M3/5BT

جزء الأسهم: 144950

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35DM120HM3/I

جزء الأسهم: 103263

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6.3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-E3/54

جزء الأسهم: 177280

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB140-E3/53

جزء الأسهم: 184651

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 480mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBYV28-150-E3/54

جزء الأسهم: 183430

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 3.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 20ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3B-M3/9AT

جزء الأسهم: 191248

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT5200-E3/4W

جزء الأسهم: 164723

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5MS-M3/9AT

جزء الأسهم: 115896

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3HM3/84A

جزء الأسهم: 172504

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5JHE3_A/I

جزء الأسهم: 125646

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-E3/53

جزء الأسهم: 112909

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P3-M3/85A

جزء الأسهم: 155001

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-E3/54

جزء الأسهم: 179079

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS1100-M3/5BT

جزء الأسهم: 109717

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PW60HM3/I

جزء الأسهم: 54

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 35A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS34-M3/9AT

جزء الأسهم: 101397

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2KHE3_A/H

جزء الأسهم: 112602

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5G-M3/9AT

جزء الأسهم: 129164

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB310-E3/5BT

جزء الأسهم: 155494

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ060HM3/9AT

جزء الأسهم: 187313

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5G-M3/57T

جزء الأسهم: 165049

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2J-E3/H

جزء الأسهم: 59

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.1µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43LHE3_A/H

جزء الأسهم: 124601

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2BHE3_A/H

جزء الأسهم: 159076

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2K-E3/H

جزء الأسهم: 148

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.1µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20150S-M3/4W

جزء الأسهم: 121407

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.43V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4003-M3/54

جزء الأسهم: 134412

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3HM3J/84A

جزء الأسهم: 197638

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23-M3/52T

جزء الأسهم: 125695

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 440mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DL45BP-M3/I

جزء الأسهم: 68463

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 30A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3ECH01-M3/9AT

جزء الأسهم: 161173

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10150S-M3/4W

جزء الأسهم: 129779

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20WL45-M3/I

جزء الأسهم: 145347

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210HE3_A/I

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2J-M3/52T

جزء الأسهم: 170709

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات