الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SS2PH9HM3_A/H

جزء الأسهم: 89

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 29V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW60-M3/I

جزء الأسهم: 150636

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-M3/73

جزء الأسهم: 175166

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-5ECH06-M3/9AT

جزء الأسهم: 184431

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 23ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB240S-E3/54

جزء الأسهم: 180807

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ015-M3/9AT

جزء الأسهم: 182364

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 350mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3B-E3/9AT

جزء الأسهم: 162851

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF10150S-E3/4W

جزء الأسهم: 130546

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3D-M3/9AT

جزء الأسهم: 173174

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5GHE3_A/I

جزء الأسهم: 154855

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9-E3/52T

جزء الأسهم: 184421

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 790mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26HE3_A/I

جزء الأسهم: 175345

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL44-M3/9AT

جزء الأسهم: 143150

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 440mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23-M3/5BT

جزء الأسهم: 104954

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJHM3J/84A

جزء الأسهم: 123648

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P4HM3/84A

جزء الأسهم: 153780

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3GHE3_A/I

جزء الأسهم: 124575

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5KHE3_A/I

جزء الأسهم: 195340

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5JHE3_A/H

جزء الأسهم: 136107

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080S-E3/4W

جزء الأسهم: 140332

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1PB-M3/84A

جزء الأسهم: 122353

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9HE3_B/I

جزء الأسهم: 105

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/5BT

جزء الأسهم: 180933

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS36-E3/9AT

جزء الأسهم: 168758

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3HM3/85A

جزء الأسهم: 152510

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB160-E3/53

جزء الأسهم: 125480

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23HE3_A/H

جزء الأسهم: 150924

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 395mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5405-E3/73

جزء الأسهم: 111356

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10G-E3/54

جزء الأسهم: 115566

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-E3/73

جزء الأسهم: 125861

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.28V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HM3J/84A

جزء الأسهم: 136622

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ060HM3/5BT

جزء الأسهم: 134192

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI10150S-E3/4W

جزء الأسهم: 135341

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210HE3_A/H

جزء الأسهم: 103

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5J-E3/9AT

جزء الأسهم: 133557

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/52T

جزء الأسهم: 123705

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات