الثنائيات - المقومات - مفرد

منزل، بيت
الثنائيات - المقومات - مفرد

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-G3-08

جزء الأسهم: 167139

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-E3-08

جزء الأسهم: 160811

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-18

جزء الأسهم: 163565

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-E3-18

جزء الأسهم: 125704

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-E3-18

جزء الأسهم: 106624

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 250mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-G3-18

جزء الأسهم: 118556

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-E3-18

جزء الأسهم: 184303

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-G3-18

جزء الأسهم: 196413

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-18

جزء الأسهم: 106096

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-18

جزء الأسهم: 197768

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 75V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-G3-08

جزء الأسهم: 177821

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 75V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-G3-08

جزء الأسهم: 161218

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-HE3-08

جزء الأسهم: 110156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-E3-08

جزء الأسهم: 157243

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-08

جزء الأسهم: 118508

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-08

جزء الأسهم: 141479

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-HE3-18

جزء الأسهم: 193437

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-HE3-08

جزء الأسهم: 151088

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-18

جزء الأسهم: 146338

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-HE3-18

جزء الأسهم: 140611

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-18

جزء الأسهم: 188376

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-08

جزء الأسهم: 173771

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-18

جزء الأسهم: 151625

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-08

جزء الأسهم: 131183

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-18

جزء الأسهم: 166917

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-G3-18

جزء الأسهم: 114008

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 75V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-18

جزء الأسهم: 182111

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-18

جزء الأسهم: 149177

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-18

جزء الأسهم: 104256

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-18

جزء الأسهم: 110099

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-HE3-18

جزء الأسهم: 111797

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-08

جزء الأسهم: 118111

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-HE3-08

جزء الأسهم: 177489

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-18

جزء الأسهم: 106073

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 250mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-G3-08

جزء الأسهم: 101670

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-G3-18

جزء الأسهم: 270

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات

3600

«
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
»