الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

BYG24G-M3/TR

جزء الأسهم: 160213

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

جزء الأسهم: 141773

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

جزء الأسهم: 131968

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

جزء الأسهم: 182415

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

جزء الأسهم: 178714

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

جزء الأسهم: 104636

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

جزء الأسهم: 136458

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

جزء الأسهم: 128490

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

جزء الأسهم: 129800

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1300V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

جزء الأسهم: 120649

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

جزء الأسهم: 155324

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

جزء الأسهم: 188118

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

جزء الأسهم: 135545

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

جزء الأسهم: 137182

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

جزء الأسهم: 196477

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

جزء الأسهم: 116559

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

جزء الأسهم: 167113

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

جزء الأسهم: 151425

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

جزء الأسهم: 167334

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

جزء الأسهم: 177836

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

جزء الأسهم: 116100

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

جزء الأسهم: 126510

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

جزء الأسهم: 113240

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

جزء الأسهم: 197556

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

جزء الأسهم: 112695

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

جزء الأسهم: 164441

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

جزء الأسهم: 174425

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

جزء الأسهم: 199071

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

جزء الأسهم: 120482

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

جزء الأسهم: 162395

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

جزء الأسهم: 109092

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

جزء الأسهم: 111717

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

جزء الأسهم: 162156

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

جزء الأسهم: 131985

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

جزء الأسهم: 142403

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

جزء الأسهم: 178334

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات