Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

125NQ015R
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015R

جزء الأسهم: 10066

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 390mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
125NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015

جزء الأسهم: 10023

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 390mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
123NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100

جزء الأسهم: 10053

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
122NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030

جزء الأسهم: 10007

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100NTR

جزء الأسهم: 9999

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060NTR

جزء الأسهم: 10046

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 710mV @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100N

جزء الأسهم: 10040

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060N

جزء الأسهم: 10029

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 710mV @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ040N

جزء الأسهم: 10065

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 540mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08S

جزء الأسهم: 10028

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06S

جزء الأسهم: 10065

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

قائمة الرغبات
10ETS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08

جزء الأسهم: 9998

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06

جزء الأسهم: 10064

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

قائمة الرغبات
10BQ100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100TR

جزء الأسهم: 10063

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02S

جزء الأسهم: 10053

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

قائمة الرغبات
10BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ040

جزء الأسهم: 9982

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015

جزء الأسهم: 9993

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 350mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10BQ015TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015TR

جزء الأسهم: 10010

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 350mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5822/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822/54

جزء الأسهم: 4999

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 525mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5407-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/54

جزء الأسهم: 149424

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5818/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818/54

جزء الأسهم: 10003

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5402-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/54

جزء الأسهم: 121104

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5405-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5405-E3/54

جزء الأسهم: 102195

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N5402/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402/54

جزء الأسهم: 9941

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N2059
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N2059

جزء الأسهم: 9980

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N3291RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3291RA

جزء الأسهم: 9917

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
19TQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015

جزء الأسهم: 4997

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 19A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4004/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004/54

جزء الأسهم: 9921

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4006/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006/54

جزء الأسهم: 9952

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4001/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001/54

جزء الأسهم: 9956

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4002/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002/54

جزء الأسهم: 9955

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100

جزء الأسهم: 9888

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4007/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007/54

جزء الأسهم: 9893

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N4005/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005/54

جزء الأسهم: 9964

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481-E3/96

جزء الأسهم: 185547

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
1N6484-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484-E3/96

جزء الأسهم: 187847

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات