Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

جزء الأسهم: 95

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

جزء الأسهم: 137

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

جزء الأسهم: 137

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

جزء الأسهم: 5037

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

جزء الأسهم: 91

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

جزء الأسهم: 5020

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

جزء الأسهم: 69

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

جزء الأسهم: 5051

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

جزء الأسهم: 135

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

جزء الأسهم: 74

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

جزء الأسهم: 120

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ040

جزء الأسهم: 155

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045

جزء الأسهم: 107

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ035

جزء الأسهم: 154

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035S

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
12TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035S

جزء الأسهم: 151

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
12TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045S

جزء الأسهم: 155

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035S

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045S

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
150KS5
Vishay Semiconductor Diodes Division

150KS5

جزء الأسهم: 62

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 471A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
150L40A
Vishay Semiconductor Diodes Division

150L40A

جزء الأسهم: 117

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 471A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12S

جزء الأسهم: 97

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12FP

جزء الأسهم: 108

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08FP

جزء الأسهم: 36

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12

جزء الأسهم: 94

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

قائمة الرغبات
10ETS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12

جزء الأسهم: 117

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
10ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10

جزء الأسهم: 5083

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

قائمة الرغبات
19TQ015STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRL

جزء الأسهم: 5042

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 19A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015S

جزء الأسهم: 10049

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 19A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045S

جزء الأسهم: 5024

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
185NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

185NQ015

جزء الأسهم: 10038

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
18TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035

جزء الأسهم: 10053

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
183NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100

جزء الأسهم: 5013

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division

15MQ040N

جزء الأسهم: 10028

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات