Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

SI4936ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 77137

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4920DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3

جزء الأسهم: 2966

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SI1905BDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1905BDH-T1-E3

جزء الأسهم: 3022

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 630mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4904DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4904DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 68499

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4900DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 132105

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

جزء الأسهم: 150001

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4804CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4804CDY-T1-E3

جزء الأسهم: 129067

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4922BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 93125

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SQJQ900E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

جزء الأسهم: 69083

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-E3

جزء الأسهم: 3001

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4539ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 3314

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A, 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SI4816BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4816BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 93648

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.8A, 8.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI1023X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

جزء الأسهم: 2929

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 370mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3987EV-T1_GE3

جزء الأسهم: 16233

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI5915DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5915DC-T1-E3

جزء الأسهم: 2988

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SI3585DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 3014

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, 1.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SI7956DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-E3

جزء الأسهم: 43929

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI3552DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 189573

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SQJ956EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ956EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 9990

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI7940DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 2920

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4936ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

جزء الأسهم: 77138

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 181122

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI7223DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 9952

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI9933CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

جزء الأسهم: 154905

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

جزء الأسهم: 9988

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SIZ728DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

جزء الأسهم: 110130

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A, 35A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4288DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4288DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 118896

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI5938DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5938DU-T1-E3

جزء الأسهم: 2940

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4650DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4650DY-T1-E3

جزء الأسهم: 2953

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

قائمة الرغبات
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 168303

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

جزء الأسهم: 220

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 189788

نوع FET: N and P-Channel, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, 2.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI3900DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 169893

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

جزء الأسهم: 119178

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 370mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-GE3

جزء الأسهم: 162518

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 660mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات
SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4532CDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 107643

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, 4.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات