| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Obsolete |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 20V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A, 1.5A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
| أقصى القوة | 830mW |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| حزمة جهاز المورد | 6-TSOP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
