Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

VS-300CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300CNQ045PBF

جزء الأسهم: 1541

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 770mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKD196/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/04PBF

جزء الأسهم: 1257

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 97.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SBLF25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF25L30CTHE3/45

جزء الأسهم: 78332

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 12.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 12.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKC196/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC196/16PBF

جزء الأسهم: 482

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 97.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/4W

جزء الأسهم: 71671

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.43V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-HFA140FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA60

جزء الأسهم: 1679

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3_A/I

جزء الأسهم: 65351

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SBLB25L30CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/P

جزء الأسهم: 78920

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 12.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 390mV @ 12.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB2045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/P

جزء الأسهم: 100816

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-83CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ100ASLPBF

جزء الأسهم: 8060

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-82CNQ030ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030ASLPBF

جزء الأسهم: 8068

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCT-E3/45

جزء الأسهم: 65449

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03-M3

جزء الأسهم: 3979

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFL80FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL80FA60

جزء الأسهم: 3449

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 65A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.49V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-15CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045SPBF

جزء الأسهم: 29469

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-113CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASLPBF

جزء الأسهم: 7192

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 55A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 110A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04-M3

جزء الأسهم: 5323

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-63CPQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100-N3

جزء الأسهم: 6290

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-HFA140FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA120

جزء الأسهم: 1343

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VF30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30200C-E3/4W

جزء الأسهم: 54100

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL230FA60

جزء الأسهم: 3027

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 160A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.44V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEP30HP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30HP-E3/45

جزء الأسهم: 29672

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ060-N3

جزء الأسهم: 12857

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VB60100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60100C-M3/8W

جزء الأسهم: 43894

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 790mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30CPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPH03PBF

جزء الأسهم: 28925

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VF20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20200C-E3/4W

جزء الأسهم: 42102

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-E3/4W

جزء الأسهم: 25349

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 790mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA20

جزء الأسهم: 3163

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 175A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VF30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100C-E3/4W

جزء الأسهم: 86118

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-40CPQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ045PBF

جزء الأسهم: 11484

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SBL3040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3040PT-E3/45

جزء الأسهم: 28497

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VF30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30150C-E3/4W

جزء الأسهم: 31197

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.36V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020PBF

جزء الأسهم: 26251

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-25CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045SPBF

جزء الأسهم: 20628

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFB250FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB250FA60

جزء الأسهم: 3295

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 168A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.19V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10200C-E3/4W

جزء الأسهم: 67197

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات