Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

VS-VSKC166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/16PBF

جزء الأسهم: 1339

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 82.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.43V @ 259A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTHE3_A/I

جزء الأسهم: 50477

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR4060PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4060PT-E3/45

جزء الأسهم: 35899

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CT-E3/45

جزء الأسهم: 113490

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKCU300/06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCU300/06PBF

جزء الأسهم: 417

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 435A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.96V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/06

جزء الأسهم: 2119

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2060CT-E3/45

جزء الأسهم: 94569

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKC71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/06

جزء الأسهم: 2100

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VBT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/4W

جزء الأسهم: 114356

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB2060CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CTHE3_A/I

جزء الأسهم: 50481

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFL250AB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL250AB60

جزء الأسهم: 4250

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 130A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.44V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB1545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTHE3_A/P

جزء الأسهم: 105725

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB2045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/I

جزء الأسهم: 79716

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H35PT-E3/45

جزء الأسهم: 59584

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 730mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKJS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS203/100

جزء الأسهم: 2015

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 990mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKD236/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/16PBF

جزء الأسهم: 1260

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 115A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF2045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2045CTHE3/45

جزء الأسهم: 90560

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VB40100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100C-M3/8W

جزء الأسهم: 58630

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 730mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKCS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS201/045

جزء الأسهم: 1929

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VBT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060G-E3/4W

جزء الأسهم: 189649

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VBT10202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10202C-M3/8W

جزء الأسهم: 76398

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKC56/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/10

جزء الأسهم: 2170

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB10H100CTHE3_A/I

جزء الأسهم: 71203

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKJ91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/14

جزء الأسهم: 1979

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKD236/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/08PBF

جزء الأسهم: 1232

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 115A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/14

جزء الأسهم: 2195

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKJ56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/14

جزء الأسهم: 2144

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKC91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/16

جزء الأسهم: 2010

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-209CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-209CNQ135PBF

جزء الأسهم: 1490

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 135V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.06V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1PBF

جزء الأسهم: 36323

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H100CTHE3_A/P

جزء الأسهم: 77658

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-UFB80FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA40

جزء الأسهم: 4793

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.39V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKDS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS409/150

جزء الأسهم: 1014

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.03V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-VSKD71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/08

جزء الأسهم: 2109

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3_A/P

جزء الأسهم: 84771

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 640mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-25CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045PBF

جزء الأسهم: 39042

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات