Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SISS40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 132140

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 153441

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

جزء الأسهم: 176128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 133640

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 46133

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

جزء الأسهم: 180869

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 136708

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

جزء الأسهم: 163997

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

جزء الأسهم: 132173

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SISS70DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 7742

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 125V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), 31A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

جزء الأسهم: 7752

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 139862

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 139920

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

جزء الأسهم: 129611

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 100614

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

جزء الأسهم: 7505

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

جزء الأسهم: 154242

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 93996

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 136730

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

جزء الأسهم: 83621

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 180804

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 7729

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 118930

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ858EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 7678

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 7711

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

جزء الأسهم: 7693

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 165168

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

جزء الأسهم: 180858

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

جزء الأسهم: 7705

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 115885

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46.5A(Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 101267

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4153EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 7793

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 99320

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

جزء الأسهم: 7640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32.3A (Ta), 109A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 96713

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 5838

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

قائمة الرغبات