Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI8445DB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8445DB-T2-E1

جزء الأسهم: 9397

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA430DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 164057

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50N10-34P-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD50N10-34P-T4-E3

جزء الأسهم: 5990

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.9A (Ta), 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI6404DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6404DQ-T1-GE3

جزء الأسهم: 9397

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4346DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4346DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 176121

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4845DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4845DY-T1-E3

جزء الأسهم: 9285

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7120DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7120DN-T1-E3

جزء الأسهم: 9346

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1405DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1405DL-T1-E3

جزء الأسهم: 9475

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4403BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4403BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 9462

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRF3205ZSTRL
Vishay Siliconix

IRF3205ZSTRL

جزء الأسهم: 9333

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1073X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1073X-T1-GE3

جزء الأسهم: 9407

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 173 mOhm @ 980mA, 10V,

قائمة الرغبات
SI1032X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1032X-T1-E3

جزء الأسهم: 9301

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7446BDP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7446BDP-T1-E3

جزء الأسهم: 9454

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7860ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7860ADP-T1-E3

جزء الأسهم: 6016

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N08-6M2P-E3

جزء الأسهم: 9421

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1307EDL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1307EDL-T1-E3

جزء الأسهم: 9300

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 850mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4654DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4654DY-T1-E3

جزء الأسهم: 9386

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3433BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3433BDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 6012

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD45P03-15-E3
Vishay Siliconix

SUD45P03-15-E3

جزء الأسهم: 9467

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF7822TRR
Vishay Siliconix

IRF7822TRR

جزء الأسهم: 5971

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7856ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7856ADP-T1-E3

جزء الأسهم: 9402

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3853DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3853DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 9424

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4654DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4654DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 9408

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5435BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 9326

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF3205ZSTRR
Vishay Siliconix

IRF3205ZSTRR

جزء الأسهم: 9420

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFZ44RSTRR
Vishay Siliconix

IRFZ44RSTRR

جزء الأسهم: 9298

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3493DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3493DV-T1-E3

جزء الأسهم: 9454

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRF2807ZSTRR
Vishay Siliconix

IRF2807ZSTRR

جزء الأسهم: 5982

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4390DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4390DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 53075

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG64N65E-GE3

جزء الأسهم: 5983

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 32A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1405DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1405DL-T1-GE3

جزء الأسهم: 9465

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRFU4105ZTR
Vishay Siliconix

IRFU4105ZTR

جزء الأسهم: 9379

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4438DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4438DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 9427

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4110DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4110DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 9368

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 11.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM85N03-06P-E3
Vishay Siliconix

SUM85N03-06P-E3

جزء الأسهم: 9382

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM110N06-3M4L-E3
Vishay Siliconix

SUM110N06-3M4L-E3

جزء الأسهم: 9342

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات