Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI4825DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-E3

جزء الأسهم: 432

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFRC20PBF
Vishay Siliconix

IRFRC20PBF

جزء الأسهم: 72548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-E3

جزء الأسهم: 464

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.49A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4876DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4876DY-T1-E3

جزء الأسهم: 447

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4466DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-E3

جزء الأسهم: 396

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-E3

جزء الأسهم: 492

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-E3

جزء الأسهم: 6120

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 950mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات
SI8404DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8404DB-T1-E1

جزء الأسهم: 488

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4435DDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-E3

جزء الأسهم: 165891

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4850EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4850EY-T1-GE3

جزء الأسهم: 107397

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4401FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4401FDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 16596

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.9A (Ta), 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.2 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4483ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4483ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 135861

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFL110TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL110TRPBF

جزء الأسهم: 195752

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات
IRF540PBF
Vishay Siliconix

IRF540PBF

جزء الأسهم: 38777

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLU014PBF
Vishay Siliconix

IRLU014PBF

جزء الأسهم: 69107

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

قائمة الرغبات
IRF520PBF
Vishay Siliconix

IRF520PBF

جزء الأسهم: 69178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4435FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4435FDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 16600

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4463CDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 176137

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.6A (Ta), 49A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 78275

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9407BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 191332

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4427BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 134797

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4477DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4477DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 113273

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4403CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4403CDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 119611

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRFL014TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL014TRPBF

جزء الأسهم: 96397

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF530PBF
Vishay Siliconix

IRF530PBF

جزء الأسهم: 66592

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4154DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4154DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 110650

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFD210PBF
Vishay Siliconix

IRFD210PBF

جزء الأسهم: 72598

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 600mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V,

قائمة الرغبات
SQD50N04-5M6_T4GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

جزء الأسهم: 16520

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4894BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4894BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 125168

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4848ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4848ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 16523

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 3.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHB24N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHB24N65EF-GE3

جزء الأسهم: 11106

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFD024PBF
Vishay Siliconix

IRFD024PBF

جزء الأسهم: 56811

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG050N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG050N60E-GE3

جزء الأسهم: 9747

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD12N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD12N50E-GE3

جزء الأسهم: 37002

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 550V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N06-3M5L_GE3

جزء الأسهم: 35073

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG47N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG47N60EF-GE3

جزء الأسهم: 6708

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات