الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SI7882DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 641

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA417DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 620

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFP264PBF

جزء الأسهم: 15842

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7483ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 655

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR476DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 77110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4108DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 692

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 13.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB414DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 646

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFB17N50LPBF

جزء الأسهم: 11072

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUP50020EL-GE3

جزء الأسهم: 21692

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7120DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 714

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 192138

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR024TRPBF

جزء الأسهم: 180864

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA814DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 692

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 61 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1051X-T1-GE3

جزء الأسهم: 610

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR888DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 650

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.25 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7186DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 671

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA419DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 638

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1054X-T1-GE3

جزء الأسهم: 649

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI6410DQ-T1-GE3

جزء الأسهم: 663

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB412DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 676

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB417DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 6071

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR9214TRPBF

جزء الأسهم: 98662

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA443DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 608

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7366DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 677

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB419DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 687

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7194DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 51955

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA411DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 6112

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7459DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 680

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7718DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 617

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUD35N10-26P-E3

جزء الأسهم: 70337

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFBC20PBF

جزء الأسهم: 66638

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7107DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 6101

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR9310TRPBF

جزء الأسهم: 132545

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR840DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 649

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHS90N65E-E3

جزء الأسهم: 4840

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 87A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 45A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA450DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 630

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 240V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.52A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 Ohm @ 700mA, 10V,

قائمة الرغبات