Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS110DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 212

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 270

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 79A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA80DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 291

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7155DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 220

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E1

جزء الأسهم: 139882

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR626DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 81219

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 225

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA413ADJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 219

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIS106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS106DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Ta), 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7137DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 66464

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4408DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 41762

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 57367

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS42DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 256

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 148689

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB417EDK-T1-GE3

جزء الأسهم: 176135

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 69518

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 257

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 82A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

جزء الأسهم: 41807

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 64945

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 258

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Ta), 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E3

جزء الأسهم: 66637

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4436DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 176138

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-E3

جزء الأسهم: 32930

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-E3

جزء الأسهم: 30529

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7423DN-T1-E3

جزء الأسهم: 103399

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 32968

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 192126

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH129DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 261

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.4A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 132089

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 225

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1022R-T1-GE3

جزء الأسهم: 149176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 330mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 57351

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-E3

جزء الأسهم: 199704

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 209

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 199675

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

جزء الأسهم: 44342

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات