Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

جزء الأسهم: 70460

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 43176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

جزء الأسهم: 248

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 171482

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 33676

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 245

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 244

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 113255

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 187703

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 193041

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 110153

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 130549

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 258

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 113283

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

جزء الأسهم: 37055

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 35066

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 265

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22.4A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 57373

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

جزء الأسهم: 52849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 30546

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 237

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 249

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 199708

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

جزء الأسهم: 13653

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

جزء الأسهم: 30993

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 255

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 261

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 71.9A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 122281

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 66462

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 44771

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 219

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32.4A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 232

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.4A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 111133

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 251

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

جزء الأسهم: 296

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 64154

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات