PMIC - بوابات السائقين | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 26

TPS2834D

جزء الأسهم: 24943

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCD7100PWPG4

جزء الأسهم: 38582

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.25V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.16V, 2.08V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37324DGN

جزء الأسهم: 31365

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27423DGN

جزء الأسهم: 31323

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

TPS2812PG4

جزء الأسهم: 44073

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5111-1M/NOPB

جزء الأسهم: 39599

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37324P

جزء الأسهم: 32706

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27424P

جزء الأسهم: 32730

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

TPS2835PWP

جزء الأسهم: 23625

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

TPIC44L02DB

جزء الأسهم: 35228

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM27222M

جزء الأسهم: 26741

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6.85V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27531D

جزء الأسهم: 30686

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5113SDX/NOPB

جزء الأسهم: 43723

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.76V, 1.89V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27201DRMT

جزء الأسهم: 30161

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5113SDE/NOPB

جزء الأسهم: 25789

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.76V, 1.89V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27425DG4

جزء الأسهم: 46319

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27210DPRR

جزء الأسهم: 43448

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 5.8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27324DGN

جزء الأسهم: 31316

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27222PWPR

جزء الأسهم: 41677

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.6V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

TPS2815DG4

جزء الأسهم: 46268

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5113SD/NOPB

جزء الأسهم: 43694

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.76V, 1.89V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27221PWPRG4

جزء الأسهم: 40712

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.6V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27211DPRT

جزء الأسهم: 25178

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37321DGN

جزء الأسهم: 23676

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

TPS2836DG4

جزء الأسهم: 38246

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37321PG4

جزء الأسهم: 32848

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37323DG4

جزء الأسهم: 46276

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM25101CMY/NOPB

جزء الأسهم: 52125

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5107MA/NOPB

جزء الأسهم: 29137

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27211DRMR

جزء الأسهم: 43417

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM25101AM/NOPB

جزء الأسهم: 24644

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37321DG4

جزء الأسهم: 36738

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

LM5113TME/NOPB

جزء الأسهم: 25728

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.76V, 1.89V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27212DPRT

جزء الأسهم: 26166

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.55V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC37325P

جزء الأسهم: 32699

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

UCC27212DPRR

جزء الأسهم: 98

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.55V,

قائمة الرغبات