PMIC - بوابات السائقين

LM5111-4MYX/NOPB

LM5111-4MYX/NOPB

جزء الأسهم: 7284

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM2726MX

LM2726MX

جزء الأسهم: 8605

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 7V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.25V, 2.4V,

قائمة الرغبات
TPS2813PW

TPS2813PW

جزء الأسهم: 6904

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM2724M

LM2724M

جزء الأسهم: 1395

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.3V ~ 6.8V,

قائمة الرغبات
UC3708DWTRG4

UC3708DWTRG4

جزء الأسهم: 16996

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UC2706DWG4

UC2706DWG4

جزء الأسهم: 11316

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TPS2831PWP

TPS2831PWP

جزء الأسهم: 723

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V,

قائمة الرغبات
LM2725M/NOPB

LM2725M/NOPB

جزء الأسهم: 1316

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 7V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UC3705D

UC3705D

جزء الأسهم: 8346

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5101SD/NOPB

LM5101SD/NOPB

جزء الأسهم: 1540

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UC2714D

UC2714D

جزء الأسهم: 21942

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UC3710T

UC3710T

جزء الأسهم: 8633

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC21222D

UCC21222D

جزء الأسهم: 592

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.25V, 1.6V,

قائمة الرغبات
UC3706DWG4

UC3706DWG4

جزء الأسهم: 13576

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27201ADDA

UCC27201ADDA

جزء الأسهم: 19214

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
UC3707DWTR

UC3707DWTR

جزء الأسهم: 20611

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5109SD

LM5109SD

جزء الأسهم: 2025

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCD7201PWP

UCD7201PWP

جزء الأسهم: 17609

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.25V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.16V, 2.08V,

قائمة الرغبات
UC3708DWTR

UC3708DWTR

جزء الأسهم: 17031

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27201AD

UCC27201AD

جزء الأسهم: 19268

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
UC3706DWTR

UC3706DWTR

جزء الأسهم: 22885

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UC2706DW

UC2706DW

جزء الأسهم: 11326

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5101AMR/NOPB

LM5101AMR/NOPB

جزء الأسهم: 21423

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UC2705D

UC2705D

جزء الأسهم: 7784

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27221PWP

UCC27221PWP

جزء الأسهم: 1327

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.6V,

قائمة الرغبات
UCC27222PWPG4

UCC27222PWPG4

جزء الأسهم: 22292

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.6V,

قائمة الرغبات
TPS2837D

TPS2837D

جزء الأسهم: 21004

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UC2714N

UC2714N

جزء الأسهم: 792

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27200D

UCC27200D

جزء الأسهم: 20149

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
LM2722M/NOPB

LM2722M/NOPB

جزء الأسهم: 1337

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 7V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
UC3705TG3

UC3705TG3

جزء الأسهم: 11240

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UC3705DG4

UC3705DG4

جزء الأسهم: 13093

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TPS2813P

TPS2813P

جزء الأسهم: 22843

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27200DDA

UCC27200DDA

جزء الأسهم: 20202

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
UC3710DWG4

UC3710DWG4

جزء الأسهم: 8399

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UC2709NG4

UC2709NG4

جزء الأسهم: 10772

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات