Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

LM5110-1M/NOPB
Texas Instruments

LM5110-1M/NOPB

جزء الأسهم: 39627

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5111-2M/NOPB
Texas Instruments

LM5111-2M/NOPB

جزء الأسهم: 39648

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27611DRVT
Texas Instruments

UCC27611DRVT

جزء الأسهم: 42586

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 1.85V,

قائمة الرغبات
UCC27201DG4
Texas Instruments

UCC27201DG4

جزء الأسهم: 27396

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
LMG1020YFFR
Texas Instruments

LMG1020YFFR

جزء الأسهم: 53413

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 1.7V,

قائمة الرغبات
UCC27200DDAG4
Texas Instruments

UCC27200DDAG4

جزء الأسهم: 27393

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
TPS2812P
Texas Instruments

TPS2812P

جزء الأسهم: 29912

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27423DG4
Texas Instruments

UCC27423DG4

جزء الأسهم: 46293

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5109AMA/NOPB
Texas Instruments

LM5109AMA/NOPB

جزء الأسهم: 46112

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM25101ASD/NOPB
Texas Instruments

LM25101ASD/NOPB

جزء الأسهم: 52103

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27423D
Texas Instruments

UCC27423D

جزء الأسهم: 31313

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27211DPRR
Texas Instruments

UCC27211DPRR

جزء الأسهم: 43439

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 2.7V,

قائمة الرغبات
UCC27200DRMT
Texas Instruments

UCC27200DRMT

جزء الأسهم: 30139

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
TPS2811PWG4
Texas Instruments

TPS2811PWG4

جزء الأسهم: 39908

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27325DGN
Texas Instruments

UCC27325DGN

جزء الأسهم: 31298

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
TPIC46L02DB
Texas Instruments

TPIC46L02DB

جزء الأسهم: 27623

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
SN75372D
Texas Instruments

SN75372D

جزء الأسهم: 26694

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27201ADRMT
Texas Instruments

UCC27201ADRMT

جزء الأسهم: 29409

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
TPS2835D
Texas Instruments

TPS2835D

جزء الأسهم: 23642

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5100ASD
Texas Instruments

LM5100ASD

جزء الأسهم: 35148

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC37323P
Texas Instruments

UCC37323P

جزء الأسهم: 32703

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS2813DG4
Texas Instruments

TPS2813DG4

جزء الأسهم: 37783

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC37325D
Texas Instruments

UCC37325D

جزء الأسهم: 31390

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27201ADPRT
Texas Instruments

UCC27201ADPRT

جزء الأسهم: 30150

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
TPS2834PWP
Texas Instruments

TPS2834PWP

جزء الأسهم: 25000

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS2833DG4
Texas Instruments

TPS2833DG4

جزء الأسهم: 36665

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V,

قائمة الرغبات
TPS2816DBVT
Texas Instruments

TPS2816DBVT

جزء الأسهم: 48247

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
TPS2833D
Texas Instruments

TPS2833D

جزء الأسهم: 26205

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V,

قائمة الرغبات
UCC27425P
Texas Instruments

UCC27425P

جزء الأسهم: 32748

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5113QDPRRQ1
Texas Instruments

LM5113QDPRRQ1

جزء الأسهم: 34811

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
UCC27524ADGN
Texas Instruments

UCC27524ADGN

جزء الأسهم: 31352

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPIC46L02DBG4
Texas Instruments

TPIC46L02DBG4

جزء الأسهم: 40703

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
UCC27524P
Texas Instruments

UCC27524P

جزء الأسهم: 32740

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM25101AMR/NOPB
Texas Instruments

LM25101AMR/NOPB

جزء الأسهم: 24602

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
SN75372PG4
Texas Instruments

SN75372PG4

جزء الأسهم: 36948

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC37322D
Texas Instruments

UCC37322D

جزء الأسهم: 25632

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات