Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

TN1215-800G-TR
STMicroelectronics

TN1215-800G-TR

جزء الأسهم: 87409

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
P0130AA 2AL3
STMicroelectronics

P0130AA 2AL3

جزء الأسهم: 150458

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 1µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.95V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
P0102MN 5AA4
STMicroelectronics

P0102MN 5AA4

جزء الأسهم: 148441

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.95V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
P0111MN 5AA4
STMicroelectronics

P0111MN 5AA4

جزء الأسهم: 190705

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.95V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
TS110-8A2
STMicroelectronics

TS110-8A2

جزء الأسهم: 112703

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
TS820-600B-TR
STMicroelectronics

TS820-600B-TR

جزء الأسهم: 166053

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
X0203NN 5AA4
STMicroelectronics

X0203NN 5AA4

جزء الأسهم: 7555

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
X0203MA 5BL2
STMicroelectronics

X0203MA 5BL2

جزء الأسهم: 7609

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
X0202MA 1BA2
STMicroelectronics

X0202MA 1BA2

جزء الأسهم: 128477

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
TN22-1500B-TR
STMicroelectronics

TN22-1500B-TR

جزء الأسهم: 7588

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 1.5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 3.1V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1.8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2A,

قائمة الرغبات
X0202DA 5BL2
STMicroelectronics

X0202DA 5BL2

جزء الأسهم: 7598

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
X0202MN 5BA4
STMicroelectronics

X0202MN 5BA4

جزء الأسهم: 143357

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
X0402MF 0AA2
STMicroelectronics

X0402MF 0AA2

جزء الأسهم: 104680

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 900mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.35A,

قائمة الرغبات
X00619MN5AL2
STMicroelectronics

X00619MN5AL2

جزء الأسهم: 102309

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
X0202NA 1BA2
STMicroelectronics

X0202NA 1BA2

جزء الأسهم: 93973

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
TYN810RG
STMicroelectronics

TYN810RG

جزء الأسهم: 49238

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.4A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات