Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

X0402NF 1AA2
STMicroelectronics

X0402NF 1AA2

جزء الأسهم: 77085

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 900mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.35A,

قائمة الرغبات
TS420-700T
STMicroelectronics

TS420-700T

جزء الأسهم: 7707

الجهد - خارج الدولة: 700V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
TS1220-600H
STMicroelectronics

TS1220-600H

جزء الأسهم: 44987

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TXN692RG
STMicroelectronics

TXN692RG

جزء الأسهم: 7688

الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

قائمة الرغبات
TN805-600B
STMicroelectronics

TN805-600B

جزء الأسهم: 7694

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TN1610H-6FP
STMicroelectronics

TN1610H-6FP

جزء الأسهم: 83217

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
TYN1012RG
STMicroelectronics

TYN1012RG

جزء الأسهم: 35246

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TYN416RG
STMicroelectronics

TYN416RG

جزء الأسهم: 4847

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
TYN804RG
STMicroelectronics

TYN804RG

جزء الأسهم: 54337

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
X00619MA5AL2
STMicroelectronics

X00619MA5AL2

جزء الأسهم: 195912

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
TYN1008RG
STMicroelectronics

TYN1008RG

جزء الأسهم: 7603

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TN1205H-6G-TR
STMicroelectronics

TN1205H-6G-TR

جزء الأسهم: 147994

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TYN208RG
STMicroelectronics

TYN208RG

جزء الأسهم: 56851

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TYN1006RG
STMicroelectronics

TYN1006RG

جزء الأسهم: 7600

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 3.8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 6A,

قائمة الرغبات
TYN058RG
STMicroelectronics

TYN058RG

جزء الأسهم: 48228

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TS420-400B-TR
STMicroelectronics

TS420-400B-TR

جزء الأسهم: 7646

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
TYN1225RG
STMicroelectronics

TYN1225RG

جزء الأسهم: 27511

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
X0205MA 1BA2
STMicroelectronics

X0205MA 1BA2

جزء الأسهم: 104697

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.45V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
TN805-800B
STMicroelectronics

TN805-800B

جزء الأسهم: 7702

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TN5015H-6T
STMicroelectronics

TN5015H-6T

جزء الأسهم: 7760

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.65V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 30A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 50A,

قائمة الرغبات
TS420-600H
STMicroelectronics

TS420-600H

جزء الأسهم: 60582

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

قائمة الرغبات
TN1205T-600B-TR
STMicroelectronics

TN1205T-600B-TR

جزء الأسهم: 118946

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TN1610H-6T
STMicroelectronics

TN1610H-6T

جزء الأسهم: 86220

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
TN805-600H
STMicroelectronics

TN805-600H

جزء الأسهم: 7668

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TN3050H-12GY-TR
STMicroelectronics

TN3050H-12GY-TR

جزء الأسهم: 36297

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.65V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 19A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 30A,

قائمة الرغبات
TYN606RG
STMicroelectronics

TYN606RG

جزء الأسهم: 63746

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 3.8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 6A,

قائمة الرغبات
TN815-800B
STMicroelectronics

TN815-800B

جزء الأسهم: 7690

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
P0102MA1AA3
STMicroelectronics

P0102MA1AA3

جزء الأسهم: 7677

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.95V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
TS110-8A1-AP
STMicroelectronics

TS110-8A1-AP

جزء الأسهم: 172083

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
TXN408GRG
STMicroelectronics

TXN408GRG

جزء الأسهم: 50209

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

قائمة الرغبات
TS1220-600B
STMicroelectronics

TS1220-600B

جزء الأسهم: 45022

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TS110-8A1
STMicroelectronics

TS110-8A1

جزء الأسهم: 112743

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 800mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1.25A,

قائمة الرغبات
P0111MA2AL3
STMicroelectronics

P0111MA2AL3

جزء الأسهم: 7657

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 25µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.95V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

قائمة الرغبات
TYN612MRG
STMicroelectronics

TYN612MRG

جزء الأسهم: 47574

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

قائمة الرغبات
TN1605H-6G
STMicroelectronics

TN1605H-6G

جزء الأسهم: 69090

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 6mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
P0102AL 5AA4
STMicroelectronics

P0102AL 5AA4

جزء الأسهم: 181698

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 160mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 250mA,

قائمة الرغبات