الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

UMZ1NTR

جزء الأسهم: 165705

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

UMZ2NTR

جزء الأسهم: 108768

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

QS5W1TR

جزء الأسهم: 144757

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Common Emitter, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

EMZ2T2R

جزء الأسهم: 102872

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

FMY6T148

جزء الأسهم: 135715

IMX4T108

جزء الأسهم: 100111

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 10V,

IMX1T110

جزء الأسهم: 173974

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT3AT108

جزء الأسهم: 134476

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT1AT108

جزء الأسهم: 164469

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

QST9TR

جزء الأسهم: 143655

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 270 @ 100mA, 2V,

QSZ1TR

جزء الأسهم: 170900

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 180mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 270 @ 200mA, 2V,

UMZ8NTR

جزء الأسهم: 154383

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,