Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا
DTA114YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA114YUBTL

جزء الأسهم: 142067

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA114TETL
Rohm Semiconductor

DTA114TETL

جزء الأسهم: 151729

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA143TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143TKAT146

جزء الأسهم: 196644

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA044EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA044EEBTL

جزء الأسهم: 119080

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC043ZEBTL
Rohm Semiconductor

DTC043ZEBTL

جزء الأسهم: 178756

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC144EETL
Rohm Semiconductor

DTC144EETL

جزء الأسهم: 109417

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA144EEBHZGTL
Rohm Semiconductor

DTA144EEBHZGTL

جزء الأسهم: 1772

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC314TKT146
Rohm Semiconductor

DTC314TKT146

جزء الأسهم: 102493

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC123JEBTL
Rohm Semiconductor

DTC123JEBTL

جزء الأسهم: 153760

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA115EUAT106
Rohm Semiconductor

DTA115EUAT106

جزء الأسهم: 114157

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 82 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA143EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EUBTL

جزء الأسهم: 184628

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC115GUAT106
Rohm Semiconductor

DTC115GUAT106

جزء الأسهم: 169881

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 82 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTD723YETL
Rohm Semiconductor

DTD723YETL

جزء الأسهم: 134923

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 140 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
DTC114TEBTL
Rohm Semiconductor

DTC114TEBTL

جزء الأسهم: 106803

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC143ZUAT106
Rohm Semiconductor

DTC143ZUAT106

جزء الأسهم: 157247

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA113ZUAT106
Rohm Semiconductor

DTA113ZUAT106

جزء الأسهم: 147708

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC143TUBTL

جزء الأسهم: 159635

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA143EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EEBTL

جزء الأسهم: 167279

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

جزء الأسهم: 180435

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

جزء الأسهم: 103542

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

جزء الأسهم: 113791

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات