Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
2N6284
Microsemi Corporation

2N6284

جزء الأسهم: 141

قائمة الرغبات
2N5092
Microsemi Corporation

2N5092

جزء الأسهم: 142

قائمة الرغبات
2N6674
Microsemi Corporation

2N6674

جزء الأسهم: 114

قائمة الرغبات
2N5877
Microsemi Corporation

2N5877

جزء الأسهم: 121

قائمة الرغبات
2N5005
Microsemi Corporation

2N5005

جزء الأسهم: 115

قائمة الرغبات
2N5339
Microsemi Corporation

2N5339

جزء الأسهم: 171

قائمة الرغبات
2N4033UA
Microsemi Corporation

2N4033UA

جزء الأسهم: 3698

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
2N3868S
Microsemi Corporation

2N3868S

جزء الأسهم: 152

قائمة الرغبات
2N3468L
Microsemi Corporation

2N3468L

جزء الأسهم: 147

قائمة الرغبات
2N3507L
Microsemi Corporation

2N3507L

جزء الأسهم: 105

قائمة الرغبات
2N5868
Microsemi Corporation

2N5868

جزء الأسهم: 169

قائمة الرغبات
2N1717
Microsemi Corporation

2N1717

جزء الأسهم: 159

قائمة الرغبات
2N4233
Microsemi Corporation

2N4233

جزء الأسهم: 117

قائمة الرغبات
2N6191
Microsemi Corporation

2N6191

جزء الأسهم: 172

قائمة الرغبات
2N5879
Microsemi Corporation

2N5879

جزء الأسهم: 136

قائمة الرغبات
2N5784
Microsemi Corporation

2N5784

جزء الأسهم: 166

قائمة الرغبات
2N1016D
Microsemi Corporation

2N1016D

جزء الأسهم: 105

قائمة الرغبات
2N2906AUB
Microsemi Corporation

2N2906AUB

جزء الأسهم: 8190

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N5660
Microsemi Corporation

2N5660

جزء الأسهم: 123

قائمة الرغبات
2N5039
Microsemi Corporation

2N5039

جزء الأسهم: 143

قائمة الرغبات
2N5662
Microsemi Corporation

2N5662

جزء الأسهم: 131

قائمة الرغبات
2N6315
Microsemi Corporation

2N6315

جزء الأسهم: 96

قائمة الرغبات
2N6279
Microsemi Corporation

2N6279

جزء الأسهم: 175

قائمة الرغبات
2N4903
Microsemi Corporation

2N4903

جزء الأسهم: 174

قائمة الرغبات
2N3440L
Microsemi Corporation

2N3440L

جزء الأسهم: 4241

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 20mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N5152L
Microsemi Corporation

2N5152L

جزء الأسهم: 105

قائمة الرغبات
2N5347
Microsemi Corporation

2N5347

جزء الأسهم: 109

قائمة الرغبات
2N5302
Microsemi Corporation

2N5302

جزء الأسهم: 104

قائمة الرغبات
2N930A
Microsemi Corporation

2N930A

جزء الأسهم: 8885

قائمة الرغبات
2N5151
Microsemi Corporation

2N5151

جزء الأسهم: 107

قائمة الرغبات
2N5872
Microsemi Corporation

2N5872

جزء الأسهم: 132

قائمة الرغبات
2N3637UB
Microsemi Corporation

2N3637UB

جزء الأسهم: 4041

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 175V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N3057A
Microsemi Corporation

2N3057A

جزء الأسهم: 7604

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
2N5384
Microsemi Corporation

2N5384

جزء الأسهم: 120

قائمة الرغبات
2N5681
Microsemi Corporation

2N5681

جزء الأسهم: 103

قائمة الرغبات
2N5781
Microsemi Corporation

2N5781

جزء الأسهم: 155

قائمة الرغبات