الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2N5666

جزء الأسهم: 102

2N2945A

جزء الأسهم: 121

2N2906AUA

جزء الأسهم: 2646

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5665

جزء الأسهم: 83

2N1484

جزء الأسهم: 132

2N3418

جزء الأسهم: 148

2N656

جزء الأسهم: 106

2N3418S

جزء الأسهم: 88

2N5000

جزء الأسهم: 118

2N5874

جزء الأسهم: 173

2N3634

جزء الأسهم: 125

2N3998

جزء الأسهم: 112

2N3486

جزء الأسهم: 6969

2N3764

جزء الأسهم: 151

2N6251T1

جزء الأسهم: 150

2N6383

جزء الأسهم: 168

2N5240

جزء الأسهم: 172

2N5840

جزء الأسهم: 136

2N6281

جزء الأسهم: 121

2N3439UA

جزء الأسهم: 1702

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N5348

جزء الأسهم: 140

2N4240

جزء الأسهم: 118

2N3440U4

جزء الأسهم: 87

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N6250

جزء الأسهم: 127

2N5429

جزء الأسهم: 127

2N6058

جزء الأسهم: 128

2N2880

جزء الأسهم: 114

2N4029

جزء الأسهم: 7654

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

2N6296

جزء الأسهم: 77

2N5337

جزء الأسهم: 123

2N1724A

جزء الأسهم: 133

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 2A, 15V,

2N2432UB

جزء الأسهم: 164

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1mA, 5V,

2N1893S

جزء الأسهم: 2679

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6546

جزء الأسهم: 130

2N5336

جزء الأسهم: 88

2N6350

جزء الأسهم: 129