الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2N2484UB

جزء الأسهم: 5222

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 225 @ 10mA, 5V,

2N498

جزء الأسهم: 160

2N2812

جزء الأسهم: 107

2N3420

جزء الأسهم: 86

2N3762L

جزء الأسهم: 150

2N1613L

جزء الأسهم: 154

2N4864

جزء الأسهم: 172

2N5875

جزء الأسهم: 145

2N5003

جزء الأسهم: 105

2N6673

جزء الأسهم: 118

2N6193U3

جزء الأسهم: 117

2N3501UB

جزء الأسهم: 4029

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N3439U4

جزء الأسهم: 163

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 20mA, 10V,

2N3486A

جزء الأسهم: 7626

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6676

جزء الأسهم: 124

2N2946A

جزء الأسهم: 5022

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 1mA, 500mV,

2N3636L

جزء الأسهم: 5555

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 175V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 50mA, 10V,

2N3634L

جزء الأسهم: 5498

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 140V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 50mA, 10V,

2N1485

جزء الأسهم: 161

2N4150S

جزء الأسهم: 120

2N3420S

جزء الأسهم: 78

2N5415UA

جزء الأسهم: 158

2N333A

جزء الأسهم: 1208

2N3868

جزء الأسهم: 108

2N3725

جزء الأسهم: 116

2N2432AUB

جزء الأسهم: 133

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1mA, 5V,

2N497

جزء الأسهم: 168

2N3999

جزء الأسهم: 97

2N3468

جزء الأسهم: 154

2N3724UB

جزء الأسهم: 3206

2N2218AL

جزء الأسهم: 7037

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3737UB

جزء الأسهم: 4271

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

2N3735L

جزء الأسهم: 7358

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

2N336

جزء الأسهم: 1209

2N5876

جزء الأسهم: 123

2N4232A

جزء الأسهم: 125