Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

ISL6608IR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608IR

جزء الأسهم: 4457

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6614CBZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CBZA

جزء الأسهم: 8579

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7243CMZ-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7243CMZ-T13

جزء الأسهم: 3754

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6208CR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6208CR

جزء الأسهم: 4181

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.5V, 2V,

قائمة الرغبات
HIP2100EIB
Renesas Electronics America Inc.

HIP2100EIB

جزء الأسهم: 2742

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,

قائمة الرغبات
ISL6610IRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6610IRZ-T

جزء الأسهم: 5765

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL89163FBECZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89163FBECZ

جزء الأسهم: 8789

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
ISL6612AIR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612AIR

جزء الأسهم: 4453

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2101IRT
Renesas Electronics America Inc.

HIP2101IRT

جزء الأسهم: 3828

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BEIBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BEIBZ

جزء الأسهم: 8481

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6605CB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605CB-T

جزء الأسهم: 4331

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6614CRZ-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CRZ-TR5214

جزء الأسهم: 8196

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7457CL-T7
Renesas Electronics America Inc.

EL7457CL-T7

جزء الأسهم: 3805

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6208CB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6208CB-T

جزء الأسهم: 8463

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.5V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6613IR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613IR-T

جزء الأسهم: 5095

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ZL1505ALNNT1
Renesas Electronics America Inc.

ZL1505ALNNT1

جزء الأسهم: 8878

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 7.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 3.4V,

قائمة الرغبات
HIP6603BECB-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP6603BECB-T

جزء الأسهم: 4022

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613AECB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613AECB

جزء الأسهم: 4750

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7202CS-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7202CS-T13

جزء الأسهم: 3674

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6207CRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6207CRZ

جزء الأسهم: 4104

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6614CBZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CBZR5238

جزء الأسهم: 8070

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7156CNZ
Renesas Electronics America Inc.

EL7156CNZ

جزء الأسهم: 3588

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
EL7457CU-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7457CU-T13

جزء الأسهم: 3756

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6612ECB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612ECB-T

جزء الأسهم: 4644

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594DCBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594DCBZ

جزء الأسهم: 7959

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594ACB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594ACB-T

جزء الأسهم: 4203

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614IRZ-TR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IRZ-TR5238

جزء الأسهم: 8244

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613IRZ-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613IRZ-TR5214

جزء الأسهم: 8841

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6208CR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6208CR-T

جزء الأسهم: 4158

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.5V, 2V,

قائمة الرغبات
EL7412CMZ-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7412CMZ-T13

جزء الأسهم: 3766

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
HIP6601BCB-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP6601BCB-T

جزء الأسهم: 3933

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613AIBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613AIBZ-T

جزء الأسهم: 4749

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7212CS
Renesas Electronics America Inc.

EL7212CS

جزء الأسهم: 2668

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6594BCRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594BCRZ-T

جزء الأسهم: 8359

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612CBZR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CBZR5214

جزء الأسهم: 7974

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6608IR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608IR-T

جزء الأسهم: 8439

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات