Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

ISL6612BIB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BIB-T

جزء الأسهم: 2283

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BCR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BCR

جزء الأسهم: 9307

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594ACB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594ACB

جزء الأسهم: 2235

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614CRZAR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CRZAR5214

جزء الأسهم: 2617

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614IB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IB

جزء الأسهم: 2074

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL89160FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89160FRTAZ

جزء الأسهم: 2771

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL6615CBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615CBZ

جزء الأسهم: 2667

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2122FRTBZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP2122FRTBZ

جزء الأسهم: 9599

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.93V,

قائمة الرغبات
PX3511ADAG
Renesas Electronics America Inc.

PX3511ADAG

جزء الأسهم: 2653

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612ACR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612ACR-T

جزء الأسهم: 2302

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2123FRTAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP2123FRTAZ-T

جزء الأسهم: 9581

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.4V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL6610AIRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6610AIRZ

جزء الأسهم: 2376

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6613BCB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BCB

جزء الأسهم: 2319

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6605CRZR5168
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605CRZR5168

جزء الأسهم: 2880

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
HIP2122FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP2122FRTAZ

جزء الأسهم: 2712

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.93V,

قائمة الرغبات
EL7202CN
Renesas Electronics America Inc.

EL7202CN

جزء الأسهم: 2141

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6605CRZ-TK
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605CRZ-TK

جزء الأسهم: 2683

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6612CRZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CRZR5238

جزء الأسهم: 2574

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2122FRTAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP2122FRTAZ-T

جزء الأسهم: 9591

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.93V,

قائمة الرغبات
EL7154CS-T7
Renesas Electronics America Inc.

EL7154CS-T7

جزء الأسهم: 2198

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.4V,

قائمة الرغبات
EL7104CS
Renesas Electronics America Inc.

EL7104CS

جزء الأسهم: 2160

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6615ACBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615ACBZ-T

جزء الأسهم: 2662

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614CRZR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CRZR5214

جزء الأسهم: 2676

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
PX3511BDAG
Renesas Electronics America Inc.

PX3511BDAG

جزء الأسهم: 7943

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614BCRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614BCRZ-T

جزء الأسهم: 8227

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6207CR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6207CR

جزء الأسهم: 4025

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL89161FRTBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89161FRTBZ-T

جزء الأسهم: 9266

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.15V,

قائمة الرغبات
ISL89162FBEAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89162FBEAZ-T

جزء الأسهم: 8945

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL89161FBEAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89161FBEAZ-T

جزء الأسهم: 8909

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL6613BECB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BECB

جزء الأسهم: 4844

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6608CR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608CR-T

جزء الأسهم: 4336

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
HIP4080AIBT
Renesas Electronics America Inc.

HIP4080AIBT

جزء الأسهم: 3813

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

قائمة الرغبات
ISL89161FBEBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89161FBEBZ

جزء الأسهم: 9283

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.15V,

قائمة الرغبات
ISL6612AEIBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612AEIBZ-T

جزء الأسهم: 4516

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612IBZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IBZR5238

جزء الأسهم: 7942

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612IBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IBZ-T

جزء الأسهم: 4648

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات