الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 1

GWS9294

جزء الأسهم: 2995

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.1A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

جزء الأسهم: 3027

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.1A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

جزء الأسهم: 2987

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 5.5V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

جزء الأسهم: 3372

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 5.5V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

جزء الأسهم: 3370

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

قائمة الرغبات